[发明专利]一种能够增强背景一致性的电路有效
| 申请号: | 202010114848.2 | 申请日: | 2020-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN111262572B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 肖建辉 | 申请(专利权)人: | 成都高迈微电子有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
| 代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 刘冬静 |
| 地址: | 610041 四川省成都市中国(四川)自由*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 能够 增强 背景 一致性 电路 | ||
本发明公开了一种能够增强背景一致性的电路,包括列选通信号电路、传感器采集器件、行选通信号电路、采集电路、第一PMOS上拉管、第一NMOS下拉管、第二PMOS上拉管和第二NMOS下拉管;列选通信号电路分别与采集电路、第一PMOS上拉管和第一NMOS下拉管相连;行选通信号电路分别连接与采集电路、第二PMOS上拉管和第二NMOS下拉管;采集电路与传感器采集器件相连,列选通信号电路和行选通信号电路均与与门电路相连接。本发明把的电路结构每个点采用信号隔断,让未选中的点内部信号无变化,只有选中的点内部信号才翻转,使得整个阵列的信号串扰小,阵列整体信号波动少,能够极大的提高电路的背景一致性。
技术领域
本发明涉及一种集成电路结构,特别涉及一种能够增强背景一致性的电路。
背景技术
阵列式的采集电路或者成像电路现在广泛被应用在图像传感器、红外夜视传感器及指纹传感器等领域。这些传感器电路结构上的特点是含有单个的电路单元,然后由这些单个的电路单元组成矩阵或者阵列。然后由此阵列进行信号采集或者成像。这些阵列一般是通过扫描的方式分时采集,在采集的时候通过行和列的组合进行控制,这样导致的问题就是很多阵列上的点和选中点之间形成串扰,让各个点在采集相同信号的时候得到的结果并不一致。
如图1所示为现有技术中常用的传感器阵列图。其中10为SENSOR,表示传感器采集器件,采集器件有可能是光收集器件,电阻,电容或者其他敏感信号的收集器件,有可能是MEMS制作的器件,也可能是常规半导体制作工艺制作的器件。标号11、12的VBRCOL0和VBRROW0分别代表控制信号。标号13的为采集电路,采集电路有可能是运放,比较器或者其他信号采集电路。11、12控制13采集电路的工作状态,这些信号有可能是不变的电压或者电流信号,也有可能是具有时序信息的变化信号。14为采集单元的输出,15的参考电压或者其他参考源。
图2是PRE ART的阵列示意图。20为采集单元电路,21为位列控制电路,主要功能为通过列选信号控制列输出信号;22为行选信号控制电路,主要功能为通过行选控制信号控制行输出信号。23为列选控制电路输出信号,有可能是固定信号,也有可能是时序变化的信号。24为行选控制电路输出信号,有可能是固定信号,也有可能是时序变化的信号。25为整个采集阵列,在本示例中,阵列大小为7X7,实际的阵列可能为100x2、160X160或者720x540等尺寸,包含并不限于这些尺寸。当列选控制信号有效是,例如,第一列有效,列选控制得输出信号就会输出到第一列的采集单元,让采集单元的工作状态发生变化。一般的,同时只会选中一个点或者多个点。这个时候,只有设计中行列同时有效的点电路才会正确的工作。行控制信号24对应的选通行的其他采集单元或者列控制信号23对应的列的其他采集单元都不正常工作,只有有信号送达。这就导致了不论怎么选择,都有一行一列的点(排除行列同时选中的点)收到了信号,但是本身缺不工作。这会导致以下几个问题:(1)行控制输出信号或者列控制输出信号本身的负载加重,越大的阵列负载越重。(2)行控制输出信号或者列控制输出信号建立时间加长。随着负载加重,23、24信号本身会有一个建立时间,负载越重,建立时间越长,这个时间可能远远大于采集单元本身的采集时间。(3)采集信号输出电压稳定时间长。由于行控制输出信号或者列控制输出信号建立时间加长,电路在采集的时候可能还没有建立完成,信号就输出了,这样的输出信号是不准确的,甚至在高速采集的时候是不正确的,导致比较严重的采集信号不一致。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种每个点在电路结构处理的时候采用信号隔断,让未选中的点内部信号无变化,只有选中的点内部信号才翻转,使得整个阵列的信号串扰小,阵列整体信号波动少的能够增强背景一致性的电路。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:一种能够增强背景一致性的电路,其特征在于,包括列选通信号电路、传感器采集器件、行选通信号电路、采集电路、第一PMOS上拉管、第一NMOS下拉管38、第二PMOS上拉管和第二NMOS下拉管;
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