[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，

具备：

第1布线，沿第1方向延伸；

第2布线，在与上述第1方向交叉的第2方向上与上述第1布线相邻，沿上述第1方向延伸；

第1沟道部，设在上述第1布线与上述第2布线之间，沿与上述第1方向及上述第2方向交叉的第3方向延伸；

第2沟道部，设在上述第1布线与上述第2布线之间，在上述第2方向上与上述第1沟道部相邻，沿上述第3方向延伸；

第1电荷储存部，设在上述第1布线与上述第1沟道部之间；

第2电荷储存部，设在上述第2布线与上述第2沟道部之间；

第1绝缘部，包括设在上述第1电荷储存部的至少一部分与上述第2电荷储存部的至少一部分之间的部分，沿上述第1方向延伸；

第2绝缘部，设在上述第1布线与上述第1绝缘部之间，在上述第1方向上与上述第1电荷储存部相邻的位置处沿上述第1方向延伸；以及

第3绝缘部，设在上述第2布线与上述第1绝缘部之间，在上述第1方向上与上述第2电荷储存部相邻的位置处沿上述第1方向延伸。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，

还具备第4绝缘部，所述第4绝缘部在上述第1方向上相对于上述第1沟道部位于与上述第1绝缘部相反侧，包括设在上述第1电荷储存部的另一部分与上述第2电荷储存部的另一部分之间的部分，沿上述第1方向延伸；

上述第1电荷储存部具有在上述第1方向上相对于上述第1电荷储存部的中央部位于第1侧的第1部分、和相对于上述第1电荷储存部的中央部位于与上述第1侧相反的第2侧的第2部分；

上述第1部分具有在上述第2方向上与上述第1绝缘部相邻的第1端，上述第2部分具有在上述第2方向上与上述第4绝缘部相邻的第2端；

将上述第1端与上述第2端连结的假想线和上述第2电荷储存部之间的最短距离比上述第1布线和上述第2布线之间的最短距离小。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，

上述第1电荷储存部具有在上述第1方向上相对于上述第1电荷储存部的中央部位于第1侧的第1部分、和相对于上述第1电荷储存部的中央部位于与上述第1侧相反的第2侧的第2部分；

上述第1部分具有在上述第2方向上与上述第1绝缘部相邻的第1端，上述第2部分具有在上述第2方向上与上述第1绝缘部相邻的第2端；

将上述第1端与上述第2端连结的假想线和上述第2电荷储存部之间的最短距离比上述第1布线和上述第2布线之间的最短距离小。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，

上述第2绝缘部及上述第3绝缘部分别在上述第1方向上以直线状延伸。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，

上述第2方向是与上述第1方向正交的方向；

上述第2绝缘部在上述第2方向上不存在于与上述第1沟道部重叠的区域中，在上述第1方向上分别设在上述第1电荷储存部的两侧。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，

上述第2绝缘部中含有的材料与上述第1绝缘部中含有的材料不同。

7.如权利要求1所述的半导体存储装置，

上述第2绝缘部中含有的材料与上述第1绝缘部中含有的材料相同。

8.如权利要求1所述的半导体存储装置，

具备设在上述第1布线与上述第1电荷储存部之间的第1绝缘膜；

上述第2方向上的上述第2绝缘部的最小厚度比上述第2方向上的上述第1绝缘膜的最小厚度大。

9.如权利要求1所述的半导体存储装置，

上述第2方向上的上述第2绝缘部的最小厚度比上述第2方向上的上述第1沟道部的最小厚度大。

10.如权利要求1所述的半导体存储装置，

具备设在上述第1沟道部与上述第1电荷储存部之间的第2绝缘膜；

上述第2方向上的上述第2绝缘部的最小厚度比上述第2方向上的上述第2绝缘膜的最小厚度大。