[发明专利]应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法

说明书

本发明提供一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及半导体光刻工艺，所述掩膜图形包括一图案，所述图案包括间隔排布的透光区和遮光区，所述图案具有由所述透光区的端部及所述遮光区的端部共同形成的边界，在所述边界处，设置有边缘透光区。采用本发明的掩膜图案可在晶圆上形成边缘光滑的图案，所述图案边缘的粗糙度低，满足设计要求，进而提高产品质量及良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法。

背景技术

随着半导体制造工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，因此，半导体工艺的精度也变得更加重要。在半导体工艺制造过程中，一个重要的工艺环节就是光刻工艺(photography)，光刻工艺主要是将掩膜版上的掩膜图形转移到晶圆上，之后方可进行后续其他工艺过程，完成整个半导体器件的制作。因此，光刻工艺的质量将直接影响着最终形成的半导体器件的性能。

目前，掩膜版上的掩膜图形转移到晶圆上形成的图形，其边缘不光滑，粗糙度较大，这影响了半导体器件的性能。例如，若通过掩膜版的掩膜图形转移到晶圆上形成半导体工艺中的对准图形，如果对准图形边缘粗糙度较大，则可能会导致后续制程中叠对不准确，降低产品质量及良率。

因此，降低掩膜版上的掩膜图形转移到晶圆上形成的图形的粗糙度，成为目前亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法，其能够在晶圆上形成边缘光滑的图形，降低图形边缘的粗糙度。

为了解决上述问题，本发明提供了一种应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形，其包括一图案，所述图案包括间隔排布的透光区和遮光区，所述图案具有由所述透光区的端部及所述遮光区的端部共同形成的边界，在所述边界处，设置有边缘透光区。

进一步，所述边缘透光区沿所述边界内侧延伸。

进一步，所述边缘透光区的两端与位于所述边界两端的所述透光区连接。

进一步，所述边缘透光区与延伸至该边界处的所述透光区连通。

进一步，所述边缘透光区的外侧为所述图案位于所述边界处的界线。

进一步，所述透光区和所述边缘透光区的透射率相同。

进一步，所述透光区和所述遮光区处于不同的平面上。

进一步，所述遮光区的透射率为6％或30％。

进一步，所述图案为对准记号。

本发明还提供一种光刻工艺方法，其采用如上所述的掩膜图形。

本发明的优点在于，在所述边界处，通过设置所述边缘透光区使得所述透光区及所述遮光区的透射率差别减小，透射率均匀分布，能够使通过所述边缘透光区入射至晶圆上的对应区域的光能量均匀分布，从而可在晶圆上形成边缘光滑的图形，所述图形边缘的粗糙度低，满足设计要求，进而提高产品质量及良率。

附图说明

图1是现有的掩膜图形的示意图及其转移到晶圆上形成的最终图形，其中(a)为掩膜图形，(b)为在晶圆上形成的图形；

图2是本发明应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形的第一具体实施方式的结构示意图，其中(a)为掩膜图形，(b)为在晶圆上形成的图形；

图3是本发明应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形的第二具体实施方式的结构示意图，其中(a)为掩膜图形，(b)为在晶圆上形成的图形。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法的具体实施方式做详细说明。为了清楚描述技术方案，附图中的结构均被适当放大。