[发明专利]应用于半导体光刻工艺中的掩膜图形及光刻工艺方法

权利要求书

1.一种应用于半导体光刻工艺中的掩模图形，其特征在于，包括一图案，所述图案包括间隔排布的透光区和遮光区，所述透光区和所述遮光区处于不同的平面上，所述图案具有由所述透光区的端部及所述遮光区的端部共同形成的边界，在所述边界处，设置有边缘透光区，所述图案能够在晶圆上形成一个与其具有相同形状的独立图案；所述边缘透光区与延伸至该边界处的所述透光区连通，以避免在所述晶圆上形成的图案发生变形。

2.根据权利要求1所述的掩膜图形，其特征在于，所述边缘透光区沿所述边界内侧延伸。

3.根据权利要求2所述的掩膜图形，其特征在于，所述边缘透光区的两端与位于所述边界两端的所述透光区连接。

4.根据权利要求1所述的掩膜图形，其特征在于，所述边缘透光区的外侧为所述图案位于所述边界处的界线。

5.根据权利要求1所述的掩膜图形，其特征在于，所述透光区和所述边缘透光区的透射率相同。

6.根据权利要求1所述的掩膜图形，其特征在于，所述遮光区的透射率为6％或30％。

7.根据权利要求1所述的掩膜图形，其特征在于，所述图案为对准记号。

8.一种光刻工艺方法，其特征在于，采用如权利要求1至7任一项所述的掩模图形。