[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及存储介质在审
| 申请号： | 202010107820.6 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111640661A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 本田拓巳;香川兴司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 以及 存储 介质 | ||
本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
技术领域
本公开涉及一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。
背景技术
以往，作为半导体的制造工序之一，已知一种对形成于半导体晶圆等基板的膜进行蚀刻的蚀刻工序。
专利文献1：日本专利第5448521号说明书
发明内容
本公开提供一种能够高效地蚀刻具有多种膜的基板的技术。
基于本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
根据本公开，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。
附图说明
图1是第一实施方式所涉及的基板处理的说明图。
图2是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
图3是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置执行的处理的过程的流程图。
图4是第一实施方式所涉及的变更处理的说明图。
图5是第二实施方式所涉及的基板处理的说明图。
图6是第三实施方式所涉及的基板处理的说明图。
图7是表示第四实施方式所涉及的基板处理装置的结构的图。
图8是表示第四实施方式所涉及的第一处理槽的结构的图。
图9是表示第四实施方式所涉及的第二处理槽的结构的图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明用于实施基于本公开的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质的方式(下面记载为“实施方式”)。此外，基于本公开的基板处理方法、基板处理装置和存储介质不限定于本实施方式。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当进行地组合。另外，在下面的各实施方式中，对同一部位标注同一标记并省略重复的说明。
另外，在下面参照的各附图中，为了容易理解说明，规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，有时表示将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。
(第一实施方式)
关于第一实施方式所涉及的基板处理
首先，参照图1来说明第一实施方式所涉及的基板处理的内容。图1是第一实施方式所涉及的基板处理的说明图。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
