[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及存储介质

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括以下工序：

第一蚀刻工序，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板；

变更工序，将蚀刻速率从所述第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率；以及

第二蚀刻工序，以所述第二蚀刻速率蚀刻所述基板。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第二蚀刻速率比所述第一蚀刻速率低。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过向所述基板供给含有多个成分的药液来蚀刻所述基板，

在所述变更工序中，通过变更所述多个成分的混合比来使所述蚀刻速率从所述第一蚀刻速率降低至所述第二蚀刻速率。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一膜为钨膜、钼膜、锇膜、铱膜、钌膜、铑膜、铜膜以及镍膜中的任一方，

所述第二膜为氮化钛膜和氮化钽膜中的任一方，

所述药液含有磷酸、醋酸、硝酸以及水，

在所述变更工序中，通过使所述药液中的所述水的混合比降低来使所述第一膜的所述蚀刻速率从所述第一蚀刻速率降低至所述第二蚀刻速率。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过使所述基板浸在贮存于处理槽的所述药液中来蚀刻所述基板，

在所述变更工序中，将所述药液的一部分从所述处理槽排出，并且向所述处理槽供给相比所述药液而言所述水的混合比少的新的所述药液，由此使所述蚀刻速率从所述第一蚀刻速率降低至所述第二蚀刻速率。

6.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序和所述第二蚀刻工序中，通过向所述基板供给药液来蚀刻所述基板，

在所述变更工序中，通过将所述药液的温度从第一温度变更为比所述第一温度低的第二温度来使所述蚀刻速率从所述第一蚀刻速率降低至所述第二蚀刻速率。

7.根据权利要求2至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第二膜被所述第一膜覆盖，

在所述第一蚀刻工序中，以所述第一蚀刻速率蚀刻所述第一膜，

在所述变更工序中，在所述第二膜从所述第一膜露出之前使所述第一膜的所述蚀刻速率从所述第一蚀刻速率降低至所述第二蚀刻速率。

8.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序中，使所述基板浸在贮存所述蚀刻速率为所述第一蚀刻速率的第一药液的第一处理槽中，

在所述第二蚀刻工序中，使所述基板浸在贮存所述蚀刻速率为所述第二蚀刻速率的第二药液的第二处理槽中，

在所述变更工序中，通过使所述基板从所述第一处理槽向所述第二处理槽移动，来使所述蚀刻速率从所述第一蚀刻速率降低至所述第二蚀刻速率。

9.一种基板处理装置，具备：

供给部，其向具有第一膜和第二膜的基板供给药液；

变更部，其变更所述供给部供给所述药液的供给条件；以及

控制部，其执行使用所述药液以第一蚀刻速率蚀刻所述基板的第一蚀刻处理、通过控制所述变更部来将蚀刻速率变更为与所述第一蚀刻速率不同的第二蚀刻速率的变更处理、以及使用所述药液以所述第二蚀刻速率蚀刻所述基板的第二蚀刻处理。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述药液含有多个成分，

所述变更部能够变更所述药液中的所述多个成分的混合比，

所述控制部控制所述变更部来变更所述多个成分的混合比，由此使所述蚀刻速率从所述第一蚀刻速率降低至所述第二蚀刻速率。