[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供能够降低关断时的漏电流的半导体装置。实施方式的半导体装置，包括：第1导电型的半导体部；在上述半导体部的背面上设置的第1电极；在上述半导体部的表面上设置的第2电极；第2导电型的第1半导体层，配置于在上述半导体部的上述表面侧设置的沟槽的内部；及绝缘层，设置于上述沟槽的内部，将上述第1半导体层从上述半导体部电绝缘。上述第2电极经由具有整流性的接触面而连接于上述半导体部，与上述第1半导体层电连接。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－150475号(申请日：2019年8月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请，包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

就电力用半导体装置而言，希望在开关动作的关断时具有高耐压及低漏电流特性。

发明内容

实施方式提供能够降低关断时的漏电流的半导体装置。

实施方式的半导体装置包括：第1导电型的半导体部；在上述半导体部的背面上设置的第1电极；在上述半导体部的表面上设置的第2电极；第2导电型的第1半导体层，配置于在上述半导体部的上述表面侧设置的沟槽的内部；及绝缘层，设置于上述沟槽的内部，将上述第1半导体层从上述半导体部电绝缘。上述第2电极经由具有整流性的接触面而连接于上述半导体部，与上述第1半导体层电连接。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图2的(a)、(b)是表示实施方式的半导体装置的别的截面的示意图。

图3的(a)、(b)是表示实施方式的半导体装置的特性的示意图。

图4的(a)、(b)是表示实施方式的第1变形例的半导体装置的示意剖视图。

图5的(a)、(b)是表示实施方式的第2变形例的半导体装置的示意剖视图。

图6的(a)、(b)是表示实施方式的第3变形例的半导体装置的示意剖视图。

图7的(a)、(b)是表示实施方式的第4变形例的半导体装置的示意剖视图。

图8的(a)、(b)是表示实施方式的第5变形例的半导体装置的示意剖视图。

具体实施方式

以下，关于实施方式，使用附图进行说明。对图中的相同部分附以同一符号并适当省略其详细的说明，对不同的部分进行说明。另外，图是示意性的或者概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等，未必与现实的相同。另外，即使在表示相同的部分的情况下，也存在根据图而彼此的尺寸、比率不同而进行表示的情况。

并且，使用各图中所示的X轴、Y轴及Z轴，说明各部分的配置及构成。X轴、Y轴、Z轴相互正交，分别表示X方向、Y方向、Z方向。另外，存在将Z方向作为上方，将其相反方向作为下方进行说明的情况。

图1是表示实施方式的半导体装置1的示意剖视图。半导体装置1例如是肖特基二极管(Schottky Barrier Diode：SBD)。

半导体装置1包括：具有n型的导电性的半导体部10、阳极电极20、阴极电极30及p型半导体层40。阳极电极20设置于半导体部10的表面上，阴极电极30设置于半导体部10的背面上。半导体部10例如是硅，p型半导体层40例如是p型多晶硅层。

阳极电极20例如包括接触层23和接合层25。接触层23经由具有整流性的接触面而与半导体部10直接连接。接触层23与半导体部10进行所谓肖特基连接。接触层23例如是包含钛或钴的金属层。接合层25例如是包含铝的金属层。