[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010107182.8 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420851A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 新井雅俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第1导电型的半导体部；
在上述半导体部的背面上设置的第1电极；
在上述半导体部的表面上设置的第2电极；
第2导电型的第1半导体层，配置于在上述半导体部的上述表面侧设置的沟槽的内部；及
绝缘层，设置于上述沟槽的内部，将上述第1半导体层从上述半导体部电绝缘，
上述第2电极经由具有整流性的接触面而连接于上述半导体部，与上述第1半导体层电连接。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，还包括：
第1导电型的第2半导体层，设置于上述沟槽的内部，并具有在与上述第1半导体层相比更接近上述沟槽的底的位置配置的端部，
上述第2半导体层通过上述绝缘层从上述半导体部电绝缘。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
上述第1半导体层位于上述第2半导体层与上述第2电极之间。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，
上述第2半导体层与上述第1半导体层直接连接。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，
在沿着上述半导体部的上述表面的方向上，上述第1半导体层具有比上述第2半导体层宽的宽度。
6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，还具备：
第1导电型的第3半导体层，设置于上述第1半导体层与上述第1电极之间，
上述第3半导体层通过上述绝缘层从上述半导体部电绝缘，与上述第1半导体层直接接触，
在沿着上述半导体部的上述表面的方向上，上述第1半导体层具有比上述第2半导体层宽的宽度。
7.如权利要求3所述的半导体装置，其中，还具备：
第1导电型的第3半导体层，设置于上述第1半导体层与上述第1电极之间，
上述第3半导体层通过上述绝缘层从上述半导体部电绝缘，与上述第1半导体层直接接触，
在沿着上述半导体部的上述表面的方向上，上述第1半导体层具有比上述第2半导体层宽的宽度。
8.如权利要求6所述的半导体装置，其中，
在沿着上述半导体部的上述表面的方向上，上述第3半导体层具有与上述第1半导体层相同的宽度。
9.如权利要求7所述的半导体装置，其中，
在沿着上述半导体部的上述表面的方向上，上述第3半导体层具有与上述第1半导体层相同的宽度。
10.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
上述第1半导体层具有上述第1电极侧的第1端及上述第2电极侧的第2端，
上述第2半导体层具有上述第1电极侧的第1端及上述第2电极侧的第2端，
上述第1半导体层的上述第2端及上述第2半导体层的上述第2端，与上述第2电极直接连接，
上述第1半导体层位于上述半导体部与上述第2半导体层之间。
11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，
上述半导体部包含第1区域及第2区域，该第2区域包含比上述第1区域的n型杂质低浓度的n型杂质，
上述第2区域位于上述第1区域与上述第2电极之间，
上述第2电极与上述第2区域接触。
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