[发明专利]具有带有外延块的源极或漏极结构的环绕栅集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

水平纳米线的第一垂直布置和水平纳米线的第二垂直布置；

围绕水平纳米线的所述第一垂直布置的第一栅极堆叠体，和围绕水平纳米线的所述第二垂直布置的第二栅极堆叠体；

在水平纳米线的所述第一垂直布置的第一端和第二端处的第一对外延源极或漏极结构，所述第一对外延源极或漏极结构包括与水平纳米线的所述第一垂直布置对准的垂直分立部分；

在水平纳米线的所述第二垂直布置的第一端和第二端处的第二对外延源极或漏极结构，所述第二对外延源极或漏极结构包括与水平纳米线的所述第二垂直布置对准的垂直分立部分，其中，所述第一对外延源极或漏极结构中的一个与所述第二对外延源极或漏极结构中的一个横向相邻，但不合并；以及

导电接触结构，其在横向上处于所述第一对外延源极或漏极结构中的所述一个与所述第二对外延源极或漏极结构中的所述一个之间，并且与所述第一对外延源极或漏极结构中的所述一个和所述第二对外延源极或漏极结构中的所述一个接触。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述导电接触结构包围所述第一对外延源极或漏极结构的所述垂直分立部分，并且包围所述第二对外延源极或漏极结构的所述垂直分立部分。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：

在水平纳米线的所述第一垂直布置下方的第一子鳍状物结构；以及

在水平纳米线的所述第二垂直布置下方的第二子鳍状物结构。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一对外延源极或漏极结构和所述第二对外延源极或漏极结构中的一对是一对压缩应力源极或漏极结构。

5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一对外延源极或漏极结构和所述第二对外延源极或漏极结构中的一对是一对拉伸应力源极或漏极结构。

6.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一栅极堆叠体和所述第二栅极堆叠体中的一个包括高k栅极电介质层和金属栅电极。

7.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：

形成水平纳米线的第一垂直布置和水平纳米线的第二垂直布置；

在水平纳米线的所述第一垂直布置之上形成第一虚设栅极堆叠体，并且在水平纳米线的所述第二垂直布置之上形成第二虚设栅极堆叠体；

在水平纳米线的所述第一垂直布置的第一端和第二端处形成第一对外延源极或漏极结构，所述第一对外延源极或漏极结构包括与水平纳米线的所述第一垂直布置对准的垂直分立部分；

在水平纳米线的所述第二垂直布置的第一端和第二端处形成第二对外延源极或漏极结构，所述第二对外延源极或漏极结构包括与水平纳米线的所述第二垂直布置对准的垂直分立部分，其中，所述第一对外延源极或漏极结构中的一个与所述第二对外延源极或漏极结构中的一个横向相邻，但不合并；

在所述第一对外延源极或漏极结构中的所述一个与所述第二对外延源极或漏极结构中的所述一个之间形成虚设接触结构，并且所述虚设接触结构与所述第一对外延源极或漏极结构中的所述一个和所述第二对外延源极或漏极结构中的所述一个接触；

在形成所述虚设接触结构之后，分别利用第一永久栅极堆叠体和第二永久栅极堆叠体替换所述第一虚设栅极堆叠体和所述第二虚设栅极堆叠体；

在利用所述第一永久栅极堆叠体和所述第二永久栅极堆叠体替换所述第一虚设栅极堆叠体和所述第二虚设栅极堆叠体之后，去除所述虚设接触结构；以及

形成在横向上处于所述第一对外延源极或漏极结构中的所述一个与所述第二对外延源极或漏极结构中的所述一个之间的导电接触结构，并且所述导电接触结构与所述第一对外延源极或漏极结构中的所述一个和所述第二对外延源极或漏极结构中的所述一个接触。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述导电接触结构包围所述第一对外延源极或漏极结构的所述垂直分立部分，并且包围所述第二对外延源极或漏极结构的所述垂直分立部分。