[发明专利]导电基板的黑化方法及导电基板、电子设备在审
申请号: | 202010105097.8 | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN111432571A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 唐根初;简建明;周天宝;陈汝文 | 申请(专利权)人: | 南昌欧菲光科技有限公司 |
主分类号: | H05K3/28 | 分类号: | H05K3/28;H05K1/02;G06F3/041 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 单骁越 |
地址: | 330000 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 方法 电子设备 | ||
1.一种导电基板的黑化方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供透明基底,所述透明基底具有两个相对的表面,分别为第一表面和第二表面;
在透明基底的第一表面形成具有导电图案的导电层;所述导电层包括导电区域和非导电区域;
在所述导电层的导电区域和非导电区域均覆设黑化层;所述黑化层为正性光阻层;
对所述透明基底的第二表面进行曝光,以导电层的线路为光罩,通过曝光显影工艺将曝光的非导电区域的黑化层去除,剩下未曝光的导电区域表面的黑化层,以获得黑化的导电基板。
2.根据权利要求1所述的黑化方法,其特征在于,在透明基底的第一表面形成具有导电图案的导电层的步骤包括:
在透明基底的第一表面形成透明薄膜;
在透明薄膜形成沟槽;
在沟槽处填充导电材料,形成导电层;
填充有导电材料的沟槽为导电区域,剩下的透明薄膜为非导电区域。
3.根据权利要求2所述的黑化方法,其特征在于,所述透明薄膜的材质为PET、PDMS、玻璃、PE、PC中的一种。
4.根据权利要求2所述的黑化方法,其特征在于,所述透明薄膜的厚度为3μm~20μm。
5.根据权利要求2所述的黑化方法,其特征在于,在所述导电层的导电区域和非导电区域均覆设黑化层的步骤为在透明薄膜以及填充有导电材料的沟槽远离透明基底的表面均覆设黑化层,优选地,通过涂布方式设置黑化层。
6.根据权利要求1所述的黑化方法,其特征在于,在透明基底的第一表面形成具有导电图案的导电层的步骤为:
所述导电层凸设在透明基底的第一表面;所述导电层的导电区域为凸设在透明基底的第一表面的具有导电材料的导电层;所述非导电区域为含有导电材料的导电区域之间的空隙;优选地,通过在所述透明基底表面经过曝光显影或蚀刻工艺形成具有导电图案的导电层,以使导电层凸设在透明基底的第一表面。
7.根据权利要求6所述的黑化方法,其特征在于,在所述导电层的导电区域和非导电区域均覆设黑化层的步骤包括:在导电区域之间的空隙以及导电区域远离透明基底的表面覆设黑化层;优选地,通过涂布方式设置黑化层。
8.根据权利要求1所述的黑化方法,其特征在于,在透明基底的第一表面形成具有导电图案的导电层的步骤为:
在透明基底的第一表面形成沟槽;
在沟槽处填充导电材料,所述导电层嵌入至透明基底中;
填充有所述导电材料的沟槽形成导电区域;透明基底为非导电区域。
9.根据权利要求8所述的黑化方法,其特征在于,在所述导电层的导电区域和非导电区域均覆设黑化层的步骤包括:
在填充有导电材料的沟槽的远离透明基底的表面以及透明基底的第一表面均覆设黑化层;优选地,通过涂布方式设置黑化层。
10.根据权利要求2或8所述的黑化方法,其特征在于,所述沟槽的深度为1μm~5μm。
11.根据权利要求5、7、9任一项所述的黑化方法,其特征在于,所述导电层的导电区域表面的黑化层的厚度为0.1μm~5μm。
12.根据权利要求1所述的黑化方法,其特征在于,所述正性光阻的颜色采用黑色、褐色、深灰或棕黑色。
13.根据权利要求1所述的黑化方法,其特征在于,所述导电层的材质是铜、铝、镍、钯、银、金、钼、铜-镍合金、钼-钕合金的一种。
14.根据权利要求1所述的黑化方法,其特征在于,所述透明基底材质为玻璃、PC、PET、COP、PMMA、TPU、POL、PI中的一种。
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