[发明专利]透光性导电薄膜在审
| 申请号： | 202010104843.1 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111607119A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 梶原大辅;藤野望 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C08J7/044 | 分类号： | C08J7/044;C08L45/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透光 导电 薄膜 | ||
1.一种透光性导电薄膜，其特征在于，具备：透明基材、和配置于所述透明基材的厚度方向一侧的透光性导电层，
所述透光性导电层的厚度超过40nm，
将所述透光性导电层的载流子密度设为n×1019(/cm3)、霍尔迁移率设为μ(cm2/V·s)时，
n相对于μ的比即n/μ为4.0以上。
2.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层为结晶质。
3.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层含有铟系无机氧化物。
4.根据权利要求2所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层含有铟系无机氧化物。
5.根据权利要求3所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层在厚度方向具备：杂质无机元素相对于铟的质量比为0.05以上的第1区域、和杂质无机元素相对于铟的质量比不足0.05的第2区域。
6.根据权利要求4所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层在厚度方向具备：杂质无机元素相对于铟的质量比为0.05以上的第1区域、和杂质无机元素相对于铟的质量比不足0.05的第2区域。
7.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层的载流子密度为50×1019(/cm3)以上且170×1019(/cm3)以下、
霍尔迁移率为5(cm2/V·s)以上且40(cm2/V·s)以下。
8.根据权利要求2所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层的载流子密度为50×1019(/cm3)以上且170×1019(/cm3)以下、
霍尔迁移率为5(cm2/V·s)以上且40(cm2/V·s)以下。
9.根据权利要求3所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层的载流子密度为50×1019(/cm3)以上且170×1019(/cm3)以下、
霍尔迁移率为5(cm2/V·s)以上且40(cm2/V·s)以下。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层被图案化。
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