[发明专利]喷嘴基片、喷墨打印头和喷嘴基片的制造方法有效
申请号: | 202010098878.9 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN111572198B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 平冈贤介;山本千早人 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | B41J2/14 | 分类号: | B41J2/14;B41J2/16 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 喷墨 打印头 制造 方法 | ||
1.一种喷嘴基片,其具有在厚度方向上贯通的喷嘴孔,该喷嘴基片的特征在于:
所述喷嘴基片包括:具有第1表面和第2表面的半导体基片;形成于所述半导体基片的所述第2表面的氧化膜;形成于所述氧化膜的与所述半导体基片相反一侧的表面的半导体膜;和形成于所述半导体膜的与所述氧化膜相反一侧的表面的热氧化膜,
所述喷嘴孔包括:形成于所述半导体基片的所述第1表面,且在厚度方向上贯通所述半导体基片和所述氧化膜的凹部;和形成于所述凹部的底面,且在厚度方向上贯通所述半导体膜和所述热氧化膜的横截面为圆形的墨液排出通路,
所述墨液排出通路包括:随着向所述半导体膜的与所述氧化膜相反一侧的表面去横截面的大小逐渐变小的锥形部;和横截面的大小一定的墨液排出用笔直部,该墨液排出用笔直部的一端与所述锥形部的细径端连通,且另一端在所述热氧化膜的与所述半导体膜相反一侧的表面开口,
在所述凹部的侧面、所述墨液排出通路的侧面和所述半导体基片的所述第1表面形成有用于保护所述半导体基片和所述半导体膜不受墨液影响的保护膜,
形成于所述墨液排出通路的侧面的所述保护膜包含形成于所述热氧化膜的面向所述墨液排出用笔直部的端面上的保护膜。
2.如权利要求1所述的喷嘴基片,其特征在于:
所述锥形部的侧面相对于所述锥形部的中心轴线的角度为5度以上15度以下。
3.如权利要求1所述的喷嘴基片,其特征在于:
所述墨液排出用笔直部的直径与所述锥形部的细径端的直径相等。
4.如权利要求1所述的喷嘴基片,其特征在于:
所述墨液排出通路进一步包括横截面的大小一定的凹部侧笔直部,该凹部侧笔直部的一端与所述凹部连通,另一端与所述锥形部的粗径端连通。
5.如权利要求4所述的喷嘴基片,其特征在于:
所述凹部侧笔直部的直径与所述锥形部的粗径端的直径相等。
6.如权利要求5所述的喷嘴基片,其特征在于:
所述凹部的横截面为圆形,
所述凹部侧笔直部的直径比所述凹部的直径小。
7.如权利要求1所述的喷嘴基片,其特征在于:
所述喷嘴基片包含SOI基片,该SOI基片包括:作为支承层的所述半导体基片;形成于所述半导体基片的所述第2表面的作为BOX层的所述氧化膜;和形成于所述氧化膜的与所述半导体基片相反一侧的表面的作为活性层的半导体膜。
8.如权利要求7所述的喷嘴基片,其特征在于:
所述半导体基片为硅基片,所述氧化膜为氧化硅膜,所述半导体膜为硅膜。
9.如权利要求1所述的喷嘴基片,其特征在于:
所述墨液排出用笔直部和所述锥形部各自通过交替地反复进行侧壁保护膜形成工序和蚀刻工序的博施处理来形成。
10.如权利要求9所述的喷嘴基片,其特征在于:
在用于形成所述墨液排出用笔直部的博施处理中,侧壁保护膜形成工序时间和蚀刻工序时间分别设定为一定时间,
在用于形成所述锥形部的博施处理中,从所述细径端侧形成所述锥形部,以使得该所述锥形部的横截面的大小逐渐变大的方式使蚀刻工序时间逐渐变长并且逐渐增大偏置电压。
11.一种喷墨打印头,其特征在于,包括:
致动器基片,其具有包括压力室的墨液流路;
可动膜形成层,其包括配置在所述压力室上并且界定出所述压力室的顶面部的可动膜;
形成在所述可动膜上的压电元件;和
喷嘴基片,其利用粘接剂接合于所述致动器基片的与所述可动膜侧的表面相反一侧的表面,界定出所述压力室的底面部,且具有与所述压力室连通的喷嘴孔,
所述喷嘴基片为权利要求1~10中任一项所述的所述喷嘴基片,所述半导体基片的第1表面接合于所述致动器基片的与所述可动膜侧的表面相反一侧的表面。
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