[发明专利]控制电路

说明书

一种控制电路，应用于一特定器件中，特定器件具有三五族半导体材料，并包括一控制电极、一第一电极以及一第二电极，控制电路包括一第一晶体管以及一静电放电保护电路，第一晶体管耦接于第一及第二电极之间，并具有三五族半导体材料，静电放电保护电路耦接控制电极、第一晶体管及第二电极，当一静电放电事件发生时，静电放电保护电路提供一放电路径，用以将一静电放电电流由控制电极释放至第二电极。

技术领域

本发明有关于一种高电子迁移率器件，特别是有关于一种静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)保护电路的高电子迁移率器件。

背景技术

高电子移动率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)因具有高输出电压优点，广泛应用于高功率半导体装置当中，以满足消费电子产品、通讯硬件、电动车、或家电市场需求。然而，当一静电放电事件发生时，高电子移动率晶体管很有可能受到静电放电电流的影响。

发明内容

本发明提供一种控制电路，应用于一特定器件中。特定器件具有三五族半导体材料，并包括一控制电极、一第一电极以及一第二电极。控制电路包括一第一晶体管以及一静电放电保护电路。第一晶体管耦接于第一及第二电极之间，并具有三五族半导体材料。静电放电保护电路耦接控制电极、第一晶体管及第二电极。当一静电放电事件发生时，静电放电保护电路提供一放电路径，用以将一静电放电电流由控制电极释放至第二电极。

本发明还提供一种高电子迁移率器件，包括一衬底、一控制电极、一第一电极、一第二电极以及一控制电路。衬底具有三五族半导体材料。控制电极、第一电极及第二电极形成于衬底之上。控制电路包括一第一晶体管以及一静电放电保护电路。第一晶体管耦接于第一及第二电极之间，并具有三五族半导体材料。静电放电保护电路耦接控制电极、第一晶体管及第二电极。当一静电放电事件发生时，静电放电保护电路提供一放电路径，用以将一静电放电电流由控制电极释放至第二电极。

附图说明

图1为本发明的高电子迁移率器件的示意图；

图2为本发明的静电放电保护电路的一示意图；

图3为本发明的静电放电保护电路的另一示意图。

[符号说明]

100：高电子迁移率器件；

110：衬底；

120：控制电极；

130、140：电极；

150：控制电路；

151、200、300：静电放电保护电路；

152、230、330：晶体管；

R1、R2：电阻器件；

210、220、310、320：阻抗器件；

340：背对背二极管对；

D1、D2：二极管。

具体实施方式

为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出实施例，并配合所附图式，做详细的说明。本发明说明书提供不同的实施例来说明本发明不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各器件的配置是为说明之用，并非用以限制本发明。另外，实施例中图式标号的部分重覆，是为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。