[发明专利]控制电路在审

专利信息
申请号: 202010098557.9 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN113345881A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 李建兴;黄晔仁;林文新;邱俊榕;邱华琦 申请(专利权)人: 世界先进积体电路股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/778;H01L29/20
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛;汤在彦
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 控制电路
【权利要求书】:

1.一种控制电路,其特征在于,应用于一特定器件中,所述特定器件具有三五族半导体材料,并包括一控制电极、一第一电极以及一第二电极,所述控制电路包括:

一第一晶体管,耦接于所述第一电极及第二电极之间,并具有三五族半导体材料;以及

一静电放电保护电路,耦接所述控制电极、所述第一晶体管及所述第二电极,其中,当一静电放电事件发生时,所述静电放电保护电路提供一放电路径,用以将一静电放电电流由所述控制电极释放至所述第二电极。

2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述静电放电保护电路包括:

一第一阻抗器件,耦接于所述控制电极与所述第一晶体管之间;

一第二晶体管,耦接于所述控制电极与所述第二电极之间;以及

一第二阻抗器件,耦接所述第二晶体管及所述第二电极。

3.根据权利要求2所述的控制电路,还包括:

一背对背二极管对,耦接于所述控制电极与所述第二晶体管之间。

4.根据权利要求3所述的控制电路,其特征在于,所述背对背二极管对包括:

一第一二极管,具有一第一阴极以及一第一阳极,所述第一阴极耦接所述控制电极;以及

一第二二极管,具有一第二阴极以及一第二阳极,所述第二阴极耦接所述第二晶体管,所述第二阳极耦接所述第一阳极。

5.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,所述第一二极管为一箫特基二极管,所述第二二极管为一PN接面二极管。

6.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述第一晶体管及第二晶体管具有三五族半导体材料。

7.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述第一阻抗器件及第二阻抗器件为电阻器件。

8.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述第一晶体管具有一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极,所述第一栅极耦接所述第一阻抗器件,所述第一漏极耦接所述第一电极,所述第一源极耦接所述第二电极。

9.根据权利要求8所述的控制电路,其特征在于,所述第二晶体管具有一第二栅极、一第二漏极以及一第二源极,所述第二栅极耦接所述第二阻抗器件,所述第二漏极耦接所述控制电极,所述第二源极耦接所述第二电极。

10.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,当所述静电放电事件未发生时,所述静电放电保护电路切断所述放电路径。

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