[发明专利]用于产生低电压域的独立于过程、电压、温度(PVT)的电流的系统

说明书

本申请涉及用于产生低电压域的独立于过程、电压、温度PVT的电流的系统。一种设备可包含带隙电路，其输出带隙电压和与绝对温度成比例PTAT的第一电流。所述设备也可包含修整电路，其至少部分地基于所述带隙电压输出参考电压。此外，所述设备可包含参考电流产生电路。特定来说，所述参考电流产生电路可包含与绝对温度互补CTAT的电流产生部分，其基于所述参考电压产生CTAT电流；以及PTAT电流调谐部分，其调谐接收的第一PTAT电流以产生第二PTAT电流。另外，所述CTAT电流产生部分可包含独立于变化的参考电流产生部分，其基于所述CTAT电流和所述第二PTAT电流产生参考电流。

技术领域

本发明大体上涉及带隙电路的领域，且更特定地，涉及用于使用带隙电路产生低电压域的独立于过程、电压、温度(PVT)的参考电流的技术。

背景技术

此部分意在向读者介绍可能涉及本发明的各方面的技术的各方面，这些方面在下文中有所描述和/或主张。相信此论述有助于向读者提供背景信息以促进对本发明的各种方面的更好理解。因此，应理解，应鉴于此来阅读这些陈述，而不是作为对现有技术的认可。

电子装置例如半导体装置、存储器芯片、微处理器芯片、图像芯片等等可包含基于所提供的参考电压执行各种操作的电路。举例来说，电路可为使用参考电压产生通往电子装置的组件(例如，电负载)的电流供应的参考电流产生电路。然而，参考电流产生电路可产生归因于过程(例如，半导体制造、装载和晶体管操作可变性)、供应电压或操作温度变化而偏离目标电流量值的参考电流。这些偏离可导致电子装置以不期望的方式起作用。

此外，参考电流产生电路可能消耗资源，例如可用的装置空间和功率。在某些电子装置中，参考电流产生电路对此类资源的消耗可能受装置规格约束。因此，本发明的实施例可针对于在减小参考电流产生电路的资源消耗的同时产生相对低电压域的独立于PVT的参考电流的系统和装置。

发明内容

在一个方面，本申请提供一种设备，包括：带隙电路，其被配置成输出带隙电压和与绝对温度成比例(PTAT)的第一电流；修整电路，其被配置成至少部分地基于所述带隙电压输出参考电压；和参考电流产生电路，其包括：与绝对温度互补(CTAT)的电流产生部分，其被配置成基于所述参考电压产生CTAT电流；PTAT电流调谐部分，其被配置成：从所述带隙电路接收所述第一PTAT电流；和调谐所述第一PTAT电流以产生第二PTAT电流，其中所述第二PTAT电流与所述CTAT电流互补；和独立于变化的参考电流产生部分，其被配置成至少部分地基于所述CTAT电流和所述第二PTAT电流产生参考电流。

在另一方面，本申请提供一种用于产生参考电流的电路，包括：与绝对温度互补(CTAT)的电流产生部分，其包括CTAT电阻器，其中所述CTAT电阻器被配置成基于参考电压产生CTAT电流；和与绝对温度成比例(PTAT)的电流调谐部分，其包括多个金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)分支，其中所述多个MOSFET分支的第一部分被配置成调谐PTAT电流，且其中所述多个MOSFET分支的第二部分被配置成至少部分地基于所述PTAT电流发射镜像PTAT电流；和独立于变化的参考电流产生部分，其包括电流镜，其中所述电流镜被配置成至少部分地基于所述CTAT电流和所述镜像PTAT电流产生参考电流。