[发明专利]用于产生低电压域的独立于过程、电压、温度(PVT)的电流的系统

权利要求书

1.一种设备，其包括：

带隙电路，其被配置成输出带隙电压和与绝对温度成比例PTAT的第一电流；

修整电路，其被配置成至少部分地基于所述带隙电压输出参考电压，其中所述参考电压不同于所述带隙电压；和

参考电流产生电路，其包括：

与绝对温度互补CTAT的电流产生部分，其被配置成基于所述参考电压产生CTAT电流；

PTAT电流调谐部分，其被配置成：

从所述带隙电路接收所述第一PTAT电流；和

调谐所述第一PTAT电流以产生第二PTAT电流，其中所述第二PTAT电流与所述CTAT电流互补；和

独立于变化的参考电流产生部分，其被配置成至少部分地基于所述CTAT电流和所述第二PTAT电流产生参考电流，其中所述参考电流产生电路经配置以由与驱动所述带隙电路的电源电压VPP不同的电压驱动。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述修整电路包括电阻器堆叠，其被配置成将所述带隙电压调整为所述参考电压的电压电平。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述参考电压是0.8伏特，且其中所述参考电流独立于过程、电压和温度PVT条件的变化。

4.根据权利要求1所述的设备，其包括耦合到所述CTAT电流产生部分、所述PTAT电流调谐部分和所述独立于变化的参考电流产生部分的电压跟随器放大器。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述电压跟随器放大器被配置成：

从所述修整电路接收所述参考电压；和

将所述参考电压输出到所述CTAT电流产生部分。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述CTAT电流产生部分包括CTAT电阻器，且其中所述CTAT电阻器被配置成至少部分地基于跨所述CTAT电阻器的等效于所述参考电压的电压降，产生所述CTAT电流。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述PTAT电流调谐部分包括被配置成产生所述第二PTAT电流的多个金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET分支。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述多个MOSFET分支的第一部分被配置成从所述带隙电路接收所述第一PTAT电流，且其中所述多个MOSFET分支的所述第一部分被配置成通过形成使所述第一PTAT电流的量值除以所述多个MOSFET分支的所述第一部分的MOSFET分支的数目的电流除法器，调谐所述第一PTAT电流以产生所述第二PTAT电流。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述多个MOSFET分支的第二部分以电流镜配置耦合到所述多个MOSFET分支的所述第一部分。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述多个MOSFET分支的第二部分被配置成：仿真所述多个MOSFET分支的所述第一部分所产生的所述第二PTAT电流；和将所述第二PTAT电流发射到所述独立于变化的参考电流产生部分。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述独立于变化的参考电流产生部分耦合到所述CTAT电流产生部分的CTAT电阻器和所述PTAT电流调谐部分的金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET分支。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述独立于变化的参考电流产生部分包括MOSFET分支，其被配置成通过将所述CTAT电流与所述第二PTAT电流求和以减小PVT变化对所述独立于变化的参考电流产生部分所输出的参考电流的效应，产生所述参考电流。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述独立于变化的参考电流产生包括以电流镜配置耦合到所述MOSFET分支的另一MOSFET分支。