[发明专利]一种无倒角电池条、叠瓦电池串及叠瓦组件的制作方法在审
| 申请号: | 202010095382.6 | 申请日: | 2020-02-17 | 
| 公开(公告)号: | CN111276570A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 | 
| 发明(设计)人: | 方志文;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/043;H01L31/05;H01L31/0224 | 
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;何键云 | 
| 地址: | 322009 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 倒角 电池 组件 制作方法 | ||
本发明公开了一种无倒角电池条、叠瓦电池串及叠瓦组件的制作方法,本发明通过在单晶硅电池片的正面和背面形成对应的激光划片区域,从而制得无倒角电池条和倒角电池块;本发明采用无倒角的电池条来制作叠瓦电池串,不仅有效受光面积增加,且美观易于被客户接受。
技术领域
本发明涉及太阳能电池的制作方法,尤其涉及一种无倒角电池条、叠瓦电池串及叠瓦组件的制作方法。
背景技术
传统太阳能电池组件因为焊接的问题使得组件在电池片之间留有大量空白区域,为了实现对该区域的充分利用,增大受光面积,提高组件的功率,叠瓦技术应运而生。
通常的叠瓦技术是一种将一块完整的电池片切割成4-6条具有完整电流回路的电池条,再通过导电胶错位粘结并封装为叠瓦组件。通过调整叠瓦组件的串、并联设计,相同面积的组件能有效增加电池片的数量,从而提升单位面积的组件功率。
参见图1,现有的大部分单晶硅片由于四个角均有较大尺寸的倒角,在实际的应用中,这部分往往造成不便。图2为现有单晶硅电池片切成的电池条制成的叠瓦电池串的示意图,由于电池条具有倒角,使得叠瓦电池串有效受光面积较小,功率较低,加之其外观不够美观,很难被接受。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种无倒角电池条的制作方法,以获得无倒角电池条。
本发明还要解决的技术问题在于,提供一种无倒角电池条的制作方法,无倒角电池条的良率高。
本发明还要解决的技术问题在于,提供一种叠瓦电池串,有效受光面积较大,功率高,美观。
本发明还要解决的技术问题在于,提供一种叠瓦组件,结构简单,安全可靠。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种无倒角电池条的制作方法,包括:
提供一种单晶硅电池片,所述单晶硅电池片的四角为倒角,所述单晶硅电池片包括第一中间部和边缘部,所述边缘部位于第一中间部的两侧,所述边缘部包括倒角部和第二中间部,所述倒角部位于第二中间部的两端,所述边缘部和第一中间部之间、所述倒角部和第二中间部之间均设有激光划片区域,其中,所述第一中间也设有若干激光划片区域,所述激光划片区域的宽度为0.2-0.8mm;
采用激光沿着激光划片区域切割单晶硅电池片,其中,切割深度为单晶硅电池片厚度的40%-60%;
对单晶硅电池片进行裂片,制得无倒角电池条和倒角电池块。
作为上述方案的改进,所述激光划片区域设置在单晶硅电池片的正面和背面,所述激光划片区域的宽度为0.3-0.8mm;
采用激光沿着单晶硅电池片背面的激光划片区域切割单晶硅电池片。
作为上述方案的改进,采用激光沿着所述边缘部和第一中间部之间的激光划片区域切割单晶硅电池片,其中,切割深度为单晶硅电池片厚度的50%-60%;然后对单晶硅电池片进行裂片,将第一中间部和边缘部分离;
采用激光沿着第一中间部的激光划片区域切割第一中间部,其中,切割深度为单晶硅电池片厚度的45%-50%;然后对第一中间部进行裂片,获得若干条无倒角电池条;
采用激光沿着所述倒角部和第二中间部之间的激光划片区域切割边缘部,其中,切割深度为单晶硅电池片厚度的40%-45%;然后对边缘部进行裂片,获得无倒角电池条和倒角电池块。
作为上述方案的改进,所述无倒角电池条包括背面主栅和正面主栅,所述无倒角电池条背面主栅的宽度为0.2-1.5mm,正面主栅的宽度为0.3-1.2mm。
作为上述方案的改进,所述无倒角电池条背面主栅的宽度为0.7-1.0mm,正面主栅的宽度为0.5-0.8mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司,未经浙江爱旭太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010095382.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





