[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

积层膜，包含交替设置于所述衬底上的多个第1绝缘层及多个电极层；

第2绝缘层，设置于所述积层膜上；及

多个柱状部，包含依次设置于所述积层膜及所述第2绝缘层内的第1绝缘膜、电荷储存层、第2绝缘膜、第1半导体层、及第3绝缘膜；且

夹在所述柱状部间的所述第2绝缘层的宽度在所述第2绝缘层的至少一部分比夹在所述柱状部间的所述积层膜的宽度更细。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第2绝缘层包含：

第1部分，设置于所述积层膜上；及

第2部分，设置于所述第1部分上，且夹在所述柱状部间的所述第2部分的宽度比夹在所述柱状部间的所述积层膜的宽度更细。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

某高度处的所述第2部分的宽度随着高度增高而变窄。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中设置于所述第2绝缘层内的所述第1半导体层的至少一部分具有比设置于所述积层膜内的所述第1半导体层的膜厚更厚的膜厚。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

设置于所述积层膜内的所述第1半导体层具有5nm以下的膜厚。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中设置于所述第2绝缘层内的所述第1半导体层的至少一部分具有5nm以上的膜厚。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

设置于所述第2绝缘层内的所述第1半导体层包含杂质原子。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述杂质原子为B(硼)原子。

9.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述杂质原子为C(碳)原子。

10.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

所述第1半导体层包含：

第1区域，隔着所述第1绝缘膜而设置于所述积层膜的侧面及所述第2绝缘层的所述第1部分的侧面；及

第2区域，隔着所述第1绝缘膜而设置于所述第2绝缘层的所述第2部分的侧面，且具有比隔着所述第1绝缘膜而设置于所述积层膜的侧面的所述第1半导体层的膜厚更厚的膜厚。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中所述第1区域具有5nm以下的膜厚。

12.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中所述第2区域具有5nm以上的膜厚。

13.一种半导体存储装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成交替地包含多个第1绝缘层及多个第1膜的积层膜；

在所述积层膜上形成第2绝缘层；

在所述积层膜及所述第2绝缘层内形成多个开口部；

以夹在所述开口部间的所述第2绝缘层的宽度在所述第2绝缘层的至少一部分比夹在所述开口部间的所述积层膜的宽度更细的方式对所述第2绝缘层进行加工；

在所述多个开口部内形成依次包含第1绝缘膜、电荷储存层、第2绝缘膜、第1半导体层、及第3绝缘膜的多个柱状部；且

所述第1半导体层以形成于所述第2绝缘层内的所述第1半导体层的至少一部分的膜厚比形成于所述积层膜内的所述第1半导体层的膜厚更厚的方式形成。

14.根据权利要求13所述的半导体存储装置的制造方法，其中所述第2绝缘层是在将离子注入到所述第2绝缘层内之后利用酸进行加工。