[发明专利]包括存储器单元和在存储器单元之间的屏蔽材料的集成组合件及其形成方法

说明书

本申请案涉及包括存储器单元及在所述存储器单元之间的屏蔽材料的集成组合件，以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有埋置式字线、屏蔽板和存取装置的存储器装置。所述存取装置包含第一扩散区域和第二扩散区域以及沟道区域。所述扩散区域和所述沟道区域经垂直布置，以使得所述沟道区域在所述第一扩散区域与所述第二扩散区域之间。所述字线与所述沟道区域的第一侧表面邻近，且所述屏蔽板与所述沟道区域的第二侧表面邻近，其中所述第一侧表面和所述第二侧表面彼此相对。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

技术领域

包括存储器单元和在存储器单元之间的屏蔽材料的集成组合件(例如，存储器阵列)，以及形成集成组合件的方法。

背景技术

存储器用于现代计算架构中以存储数据。一种类型的存储器为动态随机存取存储器(DRAM)。与替代类型的存储器相比，DRAM可提供结构简单、低成本且高速度的优点。

DRAM可利用各自具有与一个晶体管组合的一个电容器的存储器单元(所谓的1T-1C存储器单元)，其中电容器与晶体管的源极/漏极区域耦合。

常规DRAM可能遇到的一个问题为，存储器单元的操作可能会有问题地干扰一或多个邻近存储器单元，且可能最终导致数据丢失。将期望开发避免此类问题的布置，且开发制作此类布置的方法。

发明内容

本发明的一个实施例涉及一种存储器装置。所述存储器装置包括：埋置式字线；屏蔽板；存取装置，其包括第一扩散区域和第二扩散区域以及沟道区域，所述第一扩散区域和第二扩散区域以及所述沟道区域经垂直布置，以使得所述沟道区域在所述第一扩散区域与所述第二扩散区域之间；且其中所述存取装置邻近所述字线和所述屏蔽板，以使得所述字线的一部分接近所述沟道区域的第一侧表面，其中在所述字线的所述部分与所述沟道区域的所述第一侧表面之间插入第一绝缘材料，且所述屏蔽板的一部分接近所述沟道区域的第二侧表面，其中在所述屏蔽板的所述部分与所述沟道区域的所述第二侧表面之间插入第二绝缘材料。

本发明的另一实施例涉及一种组合件。所述组合件包括：垂直延伸半导体支柱行；所述半导体支柱中的每一个包括垂直安置在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间的晶体管沟道区域；字线，其沿着所述垂直延伸半导体支柱行延伸，且与所述半导体支柱的所述晶体管沟道区域邻近；所述字线具有第一侧表面和相对第二侧表面；所述半导体支柱经细分在沿着所述第一侧表面的第一组和沿着所述第二侧表面的第二组中；所述第一组的所述半导体支柱与所述第二组的所述半导体支柱沿着所述行交替；栅极介电材料，其在所述第一组的所述半导体支柱的所述第一侧表面与所述晶体管沟道区域之间，且在所述第二组的所述半导体支柱的所述第二侧表面与所述晶体管沟道区域之间；导电屏蔽材料，其在所述第一组的所述半导体支柱之间，且在所述第二组的所述半导体支柱之间；位线，其与所述第一源极/漏极区域耦合；及存储元件，其与所述第二源极/漏极区域耦合。