[发明专利]包括存储器单元和在存储器单元之间的屏蔽材料的集成组合件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

埋置式字线；

屏蔽板；

存取装置，其包括第一扩散区域和第二扩散区域以及沟道区域，所述第一扩散区域和第二扩散区域以及所述沟道区域经垂直布置，以使得所述沟道区域在所述第一扩散区域与所述第二扩散区域之间；且

其中所述存取装置邻近所述字线和所述屏蔽板，以使得所述字线的一部分接近所述沟道区域的第一侧表面，其中在所述字线的所述部分与所述沟道区域的所述第一侧表面之间插入第一绝缘材料，且所述屏蔽板的一部分接近所述沟道区域的第二侧表面，其中在所述屏蔽板的所述部分与所述沟道区域的所述第二侧表面之间插入第二绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

位线，其与第一扩散区域电连接；及

存储元件，其与所述第二扩散区域电连接。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述屏蔽板包括掺杂有杂质的多晶半导体材料。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述第一扩散区域和所述第二扩散区域以及所述屏蔽板均为相同导电类型。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述第一扩散区域和所述第二扩散区域为n型，且其中所述屏蔽板也为n型。

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述第一扩散区域和所述第二扩散区域为第一导电类型，且其中所述屏蔽板为与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述第一扩散区域和所述第二扩散区域为n型，且其中所述屏蔽板为p型。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述沟道区域在所述存取装置的主体区域内，且其中所述屏蔽板直接接触所述存取装置的所述主体区域。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

位线，其与所述第一扩散区域耦合；

存储元件，其耦合到所述第二扩散区域；且

其中所述字线和所述位线中的每一个包括金属。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述字线在第一方向上水平地延伸，且其中所述位线在与所述第一方向交叉的第二方向上水平地延伸。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述屏蔽板与具有接地电压的参考源极耦合。

12.一种组合件，其包括：

垂直延伸半导体支柱行；所述半导体支柱中的每一个包括垂直安置在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间的晶体管沟道区域；

字线，其沿着所述垂直延伸半导体支柱行延伸，且与所述半导体支柱的所述晶体管沟道区域邻近；所述字线具有第一侧表面和相对第二侧表面；所述半导体支柱经细分在沿着所述第一侧表面的第一组和沿着所述第二侧表面的第二组中；所述第一组的所述半导体支柱与所述第二组的所述半导体支柱沿着所述行交替；

栅极介电材料，其在所述第一组的所述半导体支柱的所述第一侧表面与所述晶体管沟道区域之间，且在所述第二组的所述半导体支柱的所述第二侧表面与所述晶体管沟道区域之间；

导电屏蔽材料，其在所述第一组的所述半导体支柱之间，且在所述第二组的所述半导体支柱之间；

位线，其与所述第一源极/漏极区域耦合；及

存储元件，其与所述第二源极/漏极区域耦合。

13.根据权利要求12所述的组合件，其中所述导电屏蔽材料包括金属。

14.根据权利要求12所述的组合件，其中所述导电屏蔽材料包括经导电掺杂的半导体材料。

15.根据权利要求12所述的组合件，其中所述导电屏蔽材料包括经导电掺杂的硅。