[发明专利]半导体检査装置以及半导体装置的检査方法在审
| 申请号: | 202010091939.9 | 申请日: | 2020-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN112509935A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
| 发明(设计)人: | 元永郁夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 以及 方法 | ||
实施方式主要涉及半导体检査装置以及半导体装置的检査方法。半导体检査装置具备:光源,向半导体封装照射检查光,半导体封装具有将半导体芯片封固的封固部和第1引脚,封固部具有上表面、下表面、第1侧面、以及与第1侧面对置的第2侧面,第1引脚从封固部的第1侧面向第1方向延伸,第1引脚具有第1宽幅部和第1窄幅部,第1宽幅部位于第1侧面与第1窄幅部之间;摄像装置,与光源之间夹着半导体封装而被设置,对第1引脚的第1图像进行摄像;第1计算部,根据第1图像,计算位于第1引脚的第1窄幅部的一侧的第1缺口区域的第1面积、以及位于第1窄幅部的另一侧的第2缺口区域的第2面积;以及第2计算部,计算第1面积与第2面积的比率。
关联申请
本申请享受以日本专利申请2019-167626号(申请日:2019年9月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请,包含基础申请的全部内容。
技术领域
实施方式主要涉及半导体检査装置以及半导体装置的检査方法。
背景技术
有为了提高半导体封装的引脚与电路基板的接合特性而在引脚的前端设置缺口区域的所谓可润湿侧翼(wettable flank)构造。可润湿侧翼构造通过在引脚的前端设置缺口区域,提高引脚前端的焊料的润湿性。通过提高引脚前端的焊料的润湿性,提高焊接的接合特性。为了实现稳定的接合特性,缺口区域的形状需要形成为期望的形状。因而,需要在半导体封装的外观检査中能够适当管理引脚的前端的缺口区域的形状的检査装置。
发明内容
实施方式提供能够适当管理引脚的形状的半导体检査装置以及半导体装置的检査方法。
实施方式的半导体检査装置具备:光源,向半导体封装照射检查光,半导体封装具有将半导体芯片封固的封固部和第1引脚,封固部具有上表面、下表面、第1侧面、以及与第1侧面对置的第2侧面,上述第1引脚从上述封固部的第1侧面向第1方向延伸,上述第1引脚具有第1宽幅部和第1窄幅部,上述第1宽幅部位于上述第1侧面与上述第1窄幅部之间;摄像装置,与光源之间夹着半导体封装而被设置,对上述第1引脚的第1图像进行摄像;第1计算部,根据第1图像,计算位于第1引脚的第1窄幅部的一侧的第1缺口区域的第1面积、以及位于第1窄幅部的另一侧的第2缺口区域的第2面积;以及第2计算部,计算第1面积与第2面积的比率。
附图说明
图1是实施方式的半导体检査装置的框图。
图2A~图2B是作为实施方式的检査对象的半导体封装的示意图。
图3A~图3B是实施方式的第1引脚以及第2引脚的放大俯视图。
图4是实施方式的摄像部的示意图。
图5A~图5B是由实施方式的摄像部拍摄的图像的一例的示意图。
图6A~图6B是由实施方式的摄像部拍摄的图像的一例的示意图。
图7A~图7B是由实施方式的摄像部拍摄的图像的一例的示意图。
具体实施方式
本说明书中,对于相同或类似的部件附加相同的附图标记,并有省略重复说明的情况。
实施方式的半导体检査装置具备:光源,向半导体封装照射检查光,半导体封装具有将半导体芯片封固的封固部和第1引脚,封固部具有上表面、下表面、第1侧面、以及与第1侧面对置的第2侧面,第1引脚从封固部的第1侧面向第1方向延伸,第1引脚具有第1宽幅部和第1窄幅部,第1宽幅部位于第1侧面与第1窄幅部之间;摄像装置,与光源之间夹着半导体封装而被设置,对第1引脚的第1图像进行摄像;第1计算部,根据第1图像,计算位于第1引脚的第1窄幅部的一侧的第1缺口区域的第1面积、以及位于第1窄幅部的另一侧的第2缺口区域的第2面积;以及第2计算部,计算第1面积与第2面积的比率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





