[发明专利]半导体检査装置以及半导体装置的检査方法在审
| 申请号: | 202010091939.9 | 申请日: | 2020-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN112509935A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
| 发明(设计)人: | 元永郁夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 以及 方法 | ||
1.一种半导体检查装置,其中,具备:
光源,向半导体封装照射检查光,上述半导体封装具有将半导体芯片封固的封固部和第1引脚,上述封固部具有上表面、下表面、第1侧面、以及与上述第1侧面对置的第2侧面,上述第1引脚从上述封固部的上述第1侧面向第1方向延伸,上述第1引脚具有第1宽幅部和第1窄幅部,上述第1宽幅部位于上述第1侧面与上述第1窄幅部之间;
摄像装置,在与上述光源之间夹着上述半导体封装而设置,拍摄上述第1引脚的第1图像;
第1计算部,根据上述第1图像,计算位于上述第1引脚的上述第1窄幅部的一侧的第1缺口区域的第1面积、以及位于上述第1窄幅部的另一侧的第2缺口区域的第2面积;以及
第2计算部,计算上述第1面积与上述第2面积的比率。
2.如权利要求1所述的半导体检查装置,其中,
还具备第3计算部;
上述半导体封装具有从上述封固部的上述第2侧面向与上述第1方向相反的方向延伸的第2引脚,上述第2引脚具有第2宽幅部和第2窄幅部,上述第2宽幅部位于上述第2侧面与上述第2窄幅部之间;
上述摄像装置对上述第2引脚的第2图像进行摄像;
上述第1计算部根据上述第2图像,计算位于上述第2引脚的上述第2窄幅部的一侧的第3缺口区域的第3面积、以及位于上述第2窄幅部的另一侧的第4缺口区域的第4面积;
上述第3计算部计算上述第1面积与上述第2面积的第1和、以及上述第3面积与上述第4面积的第2和,并且计算上述第1和与上述第2和的比率。
3.如权利要求1所述的半导体检查装置,其中,
还具备第4计算部,该第4计算部根据上述第1图像,计算上述第1宽幅部的第1宽度和上述第1窄幅部的第2宽度。
4.如权利要求1所述的半导体检查装置,其中,
还具备第5计算部,该第5计算部根据上述第1图像,计算上述第1窄幅部的上述第1方向的长度。
5.一种半导体装置的检查方法,其中,
拍摄半导体封装的第1引脚的第1图像,上述半导体封装具有将半导体芯片封固的封固部和上述第1引脚,上述封固部具有上表面、下表面、第1侧面、以及与上述第1侧面对置的第2侧面,上述第1引脚从上述封固部的上述第1侧面向第1方向延伸,上述第1引脚具有第1宽幅部和第1窄幅部,上述第1宽幅部位于上述第1侧面与上述第1窄幅部之间;
根据上述第1图像,计算位于上述第1引脚的上述第1窄幅部的一侧的第1缺口区域的第1面积、以及位于上述第1窄幅部的另一侧的第2缺口区域的第2面积;
计算上述第1面积与上述第2面积的比率。
6.如权利要求5所述的半导体装置的检査方法,其中,
上述半导体封装具有从上述封固部的上述第2侧面向与上述第1方向相反的方向延伸的第2引脚,上述第2引脚具有第2宽幅部和第2窄幅部,上述第2宽幅部位于上述第2侧面与上述第2窄幅部之间;
拍摄上述第2引脚的第2图像;
根据上述第2图像,计算位于上述第2引脚的上述第2窄幅部的一侧的第3缺口区域的第3面积、以及位于上述第2窄幅部的另一侧的第4缺口区域的第4面积;
计算上述第1面积与上述第2面积的第1和、以及上述第3面积与上述第4面积的第2和,并且计算上述第1和与上述第2和的比率。
7.如权利要求5所述的半导体装置的检査方法,其中,
根据上述第1图像,计算上述第1宽幅部的第1宽度、以及上述第1窄幅部的第2宽度。
8.如权利要求5所述的半导体装置的检査方法,其中,
根据上述第1图像,计算上述第1窄幅部的上述第1方向的长度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





