[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具备：第一半导体芯片；金属板，具有第一面和与第一面对置的第二面，并且具有设置在第一面与第二面之间的第一陶瓷板；以及第一绝缘基板，设置在第一半导体芯片与金属板之间，与第一面对置，在第一半导体芯片与第二面之间不存在第一陶瓷板。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－169906号(申请日：2019年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请，包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式主要涉及半导体装置。

背景技术

功率半导体模块中，例如在金属基底板之上安装功率半导体芯片，在功率半导体芯片之间夹着绝缘基板。功率半导体芯片例如是绝缘栅双极晶体管(Insulated GateBipolar Transistor，IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide FieldEffect Transistor，MOSFET)、或二极管。

功率半导体芯片以高电压而流过高电流，因此发热量大。如果功率半导体模块的散热性低，则由于功率半导体芯片的发热，例如产生功率半导体模块的可靠性不良。可靠性不良例如是焊丝的断开不良。因此，功率半导体模块中，要求提高散热性。

发明内容

实施方式提供能够提高散热性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：第一半导体芯片；金属板，具有第一面和与上述第一面对置的第二面，并且具有设置在上述第一面与上述第二面之间的第一陶瓷板；以及第一绝缘基板，设置在上述第一半导体芯片与上述金属板之间，与上述第一面对置，在上述第一半导体芯片与上述第二面之间不存在上述第一陶瓷板。

附图说明

图1A～图1C是第一实施方式的半导体装置的示意图。

图2A～图2C是第一实施方式的金属板的示意图。

图3A～图3C是比较例的半导体装置的示意图。

图4A～图4C是比较例的半导体装置的问题点的说明图。

图5A～图5C是第二实施方式的金属板的示意图。

图6A～图6C是第二实施方式的变形例的金属板的示意图。

图7A～图7C是第三实施方式的金属板的示意图。

图8A～图8C是第四实施方式的金属板的示意图。

图9A～图9C是第五实施方式的金属板的示意图。

图10A～图10C是第六实施方式的金属板的示意图。

图11A～图11C是第七实施方式的金属板的示意图。

具体实施方式

本说明书中，有对于相同或类似的部件附加相同的附图标记并省略重复说明的情况。

本说明书中，为了表示部件等的位置关系，有将附图的上方向记述为“上”、将附图的下方向记述为“下”的情况。本说明书中，“上”、“下”的概念并不一定是表示与重力方向的关系的用语。

(第一实施方式)

第一实施方式的半导体装置具备：第一半导体芯片；金属板，具有第一面和与第一面对置的第二面，具有设置在第一面与第二面之间的第一陶瓷板；以及第一绝缘基板，设置在第一半导体芯片与金属板之间，与第一面对置，在第一半导体芯片与第二面之间不存在第一陶瓷板。