[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

半导体衬底，具有第1面、设置在较所述第1面更深位置的第1触点部、及从所述第1触点部突出至较所述第1面更高位置的第2触点部；

积层体，在所述第1面上交替地积层着绝缘层与电极层；及

半导体膜，在所述第2触点部上以与所述第1面垂直的第1方向在所述积层体内延伸；

在所述第1触点部和所述第2触点部的界面上，所述第1触点部的与所述第1面平行的第2方向的长度长于所述第2触点部的所述第2方向的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2触点部具有以所述第2方向的长度随着靠近所述积层体而变长的方式倾斜的锥形面，且所述锥形面中，硅结晶的(111)面露出最多。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1触点部含有硼，

所述第2触点部具有含有所述硼的掺杂层、及设置在所述掺杂层上且不含所述硼的未掺杂层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述掺杂层的上端配置在较所述积层体中的最下层的所述绝缘层更高且较最下层的所述电极层更低的位置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1触点部含有硼，所述第2触点部不含所述硼。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中

所述硼不包含在所述第1触点部中的所述第2触点部的正下方区域中，但包含在所述第1触点部中与最下层电极层对向的区域中。

7.一种半导体装置的制造方法，

在半导体衬底的第1面上，形成将绝缘层与牺牲层在与所述第1面垂直的第1方向上交替地积层而成的积层体，

将所述积层体在所述第1方向上贯通，形成到达较所述第1面更深位置的孔，

通过将较所述第1面更靠下方的所述孔的第1部分进行各向异性刻蚀，而使所述第1部分的与所述第1面平行的第2方向的长度长于所述孔的较所述第1面更靠上方的第2部分的所述第2方向的长度，

形成所述第1部分中使与所述半导体衬底相同的半导体材料结晶生长所得的第1触点部、及所述第2部分中使所述半导体材料结晶生长所得的第2触点部，

在所述孔内的所述第2触点部上形成半导体膜。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中将以所述第2方向的长度随着靠近所述积层体而变长的方式倾斜且硅结晶的(111)面露出最多的锥形面形成在所述第2触点部。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第1触点部中掺杂硼，且

在所述第2触点部中，形成含有所述硼的掺杂层、及设置在所述掺杂层上且不含所述硼的未掺杂层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中以所述掺杂层的上端成为所述积层体中较最下层的所述绝缘层更高且较最下层的所述电极层更低的位置的方式，调整所述硼的掺杂时间。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第1触点部中掺杂硼，且

在所述第2触点部中不掺杂所述硼。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第1触点部中的所述第2触点部的正下方区域中不掺杂所述硼，但在所述第1触点部中与最下层电极层对向的区域中掺杂所述硼。