[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010088911.X | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN112510013A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 若月启;饭野知久;服卷直美;佐藤三铃;竹内将胜 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，具备：
势垒金属层，其设置在绝缘层的表面；及
导电层，其具有设置在所述势垒金属层的表面的第1金属层、及设置在所述第1金属层的表面的第2金属层；且
所述第2金属层包含与所述第1金属层相同的金属、及能够将与所述金属键合的氟去除的杂质。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述杂质与所述金属的键合能高于所述金属与所述氟的键合能。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述杂质包含铝原子(Al)、锆原子(Zr)、铪原子(Hf)、硅原子(Si)、硼原子(B)、钛原子(Ti)、氧原子(O)、钇原子(Y)及碳原子(C)的至少一种。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述杂质的浓度在所述第2金属层中固定。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2金属层中的杂质浓度为1×1019～1×1021atm/cm3。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第2金属层包含至少1个以上的所述杂质的浓度局部较高的高浓度层。
7.一种半导体装置的制造方法，其在绝缘层的表面形成势垒金属层，
在所述势垒金属层的表面形成第1金属层，
在所述第1金属层的表面形成第2金属层，所述第2金属层包含与所述第1金属层相同的金属、及能够将与所述金属键合的氟去除的杂质。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述杂质与所述金属的键合能高于所述金属与所述氟的键合能。
9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述杂质包含铝原子(Al)、锆原子(Zr)、铪原子(Hf)、硅原子(Si)、硼原子(B)、钛原子(Ti)、氧原子(O)、钇原子(Y)及碳原子(C)的至少一种。
10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述杂质的浓度在所述第2金属层中固定。
11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述第2金属层中的杂质浓度为1×1019～1×1021atm/cm3。
12.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其在所述第2金属层形成至少1个以上的所述杂质的浓度局部较高的高浓度层。
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