[发明专利]一种半导体封装构件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010087303.7 申请日: 2020-02-11
公开(公告)号: CN111261527B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 张正 申请(专利权)人: 深圳市法本电子有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/373;B29C45/14
代理公司: 长沙柳腾知识产权代理事务所(普通合伙) 43267 代理人: 杨佳
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道滨海社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 构件 及其 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种半导体封装构件及其制备方法,该方法包括以下步骤:提供一基板,在所述基板的上表面形成绝缘层,在所述绝缘层上形成导电图案,将半导体芯片以倒装的方式安装在所述导电图案上,接着依次形成第一封装胶层、第二封装胶层、第三封装胶层、第四封装胶层、第五封装胶层,接着置于密封的腔室中进行热处理,通过调整腔室的压强以及热处理的温度,使得所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层紧密结合,并消除所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层中的裂缝和气泡,接着通过打磨工艺去除部分的所述第一封装胶层,以暴露所述基板的底面。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域,特别是涉及一种半导体封装构件及其制备方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展,越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活及工作带来了巨大的便利,成为人们不可或缺的重要工具。而半导体封装结构则是电子设备的基本组成单元,如何提高半导体封装结构的密封稳定性,进而提高电子设备的使用寿命,这是业界广泛关注的问题。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种半导体封装构件及其制备方法。

为实现上述目的,本发明提出的一种半导体封装构件的制备方法,包括以下步骤:

1)提供一基板,在所述基板的上表面形成绝缘层;

2)在所述绝缘层上沉积金属层,并利用掩膜对所述金属层进行刻蚀以得到导电图案;

3)接着将半导体芯片以倒装的方式安装在所述导电图案上;

4)接着将设置有半导体芯片的基板置于一模具中,所述模具具有容纳所述基板的空腔,在所述模具的顶面设置有注胶孔,通过所述注胶孔注入一定量的第一树脂材料,以形成第一封装胶层,其中,所述第一树脂材料含有脱模剂,所述第一封装胶层覆盖所述基板的底表面;

5)通过所述注胶孔注入一定量的第二树脂材料,以形成第二封装胶层,其中,所述第二树脂材料不含有脱模剂,所述第二封装胶层层叠于所述第一封装胶层上;

6)通过所述注胶孔注入一定量的第三树脂材料,以形成第三封装胶层,其中,所述第三树脂材料不含有脱模剂,所述第三封装胶层层叠于所述第二封装胶层上;

7)通过所述注胶孔注入一定量的第四树脂材料,以形成第四封装胶层,其中,所述第四树脂材料不含有脱模剂,所述第四封装胶层层叠于所述第三封装胶层上;

8)通过所述注胶孔注入一定量的第五树脂材料,以形成第五封装胶层,其中,所述第五树脂材料含有脱模剂,所述第五封装胶层层叠于所述第四封装胶层上;

9)接着置于密封的腔室中进行热处理,通过调整腔室的压强以及热处理的温度,使得所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层紧密结合,并消除所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层中的裂缝和气泡,接着通过打磨工艺去除部分的所述第一封装胶层,以暴露所述基板的底面。

作为优选,在所述步骤1)中,所述绝缘层为氧化铝、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化铝中的一种或多种,所述绝缘层的厚度为100-200微米。

作为优选,在所述步骤2)中,所述金属层的材质为铜或铝,通过热蒸镀或电子束蒸发的方式形成所述金属层,通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述导电图案。

作为优选,在所述步骤4)中,所述第一树脂材料包括100重量份的环氧树脂以及3-6重量份的脱模剂。

作为优选,在所述步骤5)中,所述第二树脂材料包括100重量份的环氧树脂以及5-10重量份的散热填料;在所述步骤6)中,所述第三树脂材料包括100重量份的环氧树脂以及20-30重量份的散热填料;在所述步骤7)中,所述第四树脂材料包括100重量份的环氧树脂以及10-20重量份的散热填料。

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