[发明专利]一种半导体封装构件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装构件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一基板，在所述基板的上表面形成绝缘层；

2)在所述绝缘层上沉积金属层，并利用掩膜对所述金属层进行刻蚀以得到导电图案；

3)接着将半导体芯片以倒装的方式安装在所述导电图案上；

4)接着将设置有半导体芯片的基板置于一模具中，所述模具具有容纳所述基板的空腔，在所述模具的顶面设置有注胶孔，通过所述注胶孔注入一定量的第一树脂材料，以形成第一封装胶层，其中，所述第一树脂材料含有脱模剂，所述第一封装胶层覆盖所述基板的底表面；

5)通过所述注胶孔注入一定量的第二树脂材料，以形成第二封装胶层，其中，所述第二树脂材料不含有脱模剂，所述第二封装胶层层叠于所述第一封装胶层上；

6)通过所述注胶孔注入一定量的第三树脂材料，以形成第三封装胶层，其中，所述第三树脂材料不含有脱模剂，所述第三封装胶层层叠于所述第二封装胶层上；

7)通过所述注胶孔注入一定量的第四树脂材料，以形成第四封装胶层，其中，所述第四树脂材料不含有脱模剂，所述第四封装胶层层叠于所述第三封装胶层上；

8)通过所述注胶孔注入一定量的第五树脂材料，以形成第五封装胶层，其中，所述第五树脂材料含有脱模剂，所述第五封装胶层层叠于所述第四封装胶层上；

9)接着置于密封的腔室中进行热处理，通过调整腔室的压强以及热处理的温度，使得所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层紧密结合，并消除所述第一、第二、第三、第四、第五封装胶层中的裂缝和气泡，接着通过打磨工艺去除部分的所述第一封装胶层，以暴露所述基板的底面；

其中，在所述步骤4)中，所述第一树脂材料包括100重量份的环氧树脂以及3-6重量份的脱模剂；所述步骤5)中，所述第二树脂材料包括100重量份的环氧树脂以及5-10重量份的散热填料；在所述步骤6)中，所述第三树脂材料包括100重量份的环氧树脂以及20-30重量份的散热填料；在所述步骤7)中，所述第四树脂材料包括100重量份的环氧树脂以及10-20重量份的散热填料；在所述步骤8)中，所述第五树脂材料包括100重量份的环氧树脂以及3-6重量份的脱模剂。

2.根据权利要求1所述的半导体封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤1)中，所述绝缘层为氧化铝、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化铝中的一种或多种，所述绝缘层的厚度为100-200微米。

3.根据权利要求1所述的半导体封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤2)中，所述金属层的材质为铜或铝，通过热蒸镀或电子束蒸发的方式形成所述金属层，通过湿法刻蚀或干法刻蚀形成所述导电图案。

4.根据权利要求1所述的半导体封装构件的制备方法，其特征在于：在所述步骤9)中，置于密封的腔室中进行热处理的具体工艺为：首先对所述腔室进行抽真空使得所述腔室的压强为10^-4Pa-10^-2Pa，在保持压强不变的条件下，以升温速率为20-50℃/min的条件下将腔室的温度升温至100-140℃，并保持20-30分钟，接着以升温速率为40-50℃/min的条件下将腔室的温度升温至150-170℃，保持3-5分钟，接着向所述腔室中通入氮气，使得所述腔室中的压强升至1.8×10⁵Pa-3×10⁵Pa，接着升温至180-200℃，并在180-200℃条件下热处理50-100分钟。

5.一种半导体封装构件，其特征在于，采用权利要求1-4任一项所述的方法制备形成的。