[发明专利]一种鳍式横向双扩散功率器件有效
| 申请号： | 202010084930.5 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111244185B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 姚佳飞;张振宇;郭宇锋 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 熊玉玮 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种鳍式横向双扩散功率器件，其特征在于：包括位于最下方的半导体衬底（1）、位于衬底上方的埋层（2）、位于埋层上方的鳍式有源区（3）；所述鳍式有源区（3）包括多个分立的鳍部，所述鳍部包括半导体漏区（4）、半导体漂移区（5）、半导体阱区（8），其中，所述半导体漏区（4）位于半导体漂移区（5）的一端，所述半导体阱区（8）位于半导体漂移区（5）的另一端，半导体阱区（8）中包括半导体源区（6）和半导体体接触区（7），所述半导体阱区（8）的两侧及表面形成有沟道区（15），所述沟道区（15）的两侧及表面均覆盖有栅介质层，所述栅介质层的两侧及表面形成三栅电极（10），沟道区（15）两侧的三栅电极的深度与鳍式有源区（3）的厚度相同；所述鳍部的两侧及表面均覆有高K介质材料形成介质区（9），栅介质层即为介质区（9）的一部分；还包括位于鳍式有源区（3）上方的漏极金属（11）和源极金属（12），且所述漏极金属（11）与半导体漏区（4）接触，所述源极金属（12）与半导体源区（6）及半导体体接触区（7）接触。
2.根据权利要求1所述的鳍式横向双扩散功率器件，其特征在于：所述鳍部的宽度为0.5~2微米，所述鳍部与鳍部之间槽的宽度为0.5~2微米。
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