[发明专利]用于减轻针对存储器装置的选择失败的技术

说明书

示例可包括减轻某个时间段上的电压阈值漂移的技术，该电压阈值漂移对于选择存储器装置的存储器单元而言可导致选择失败。跳回事件检测用于确定是否使用一个或多个选择偏置电压已经为至少第一刷新写入操作选择了选择的存储器单元。可以基于该确定来实现随后的刷新写入操作。

技术领域

本文描述的示例一般涉及用于减轻由于阈值电压漂移而导致的包括在存储器装置中的存储器单元的选择失败的技术。

背景技术

诸如非易失性存储器之类的各种类型的存储器可能具有由具有单独阈值电压的非易失性存储器单元的趋势所促使的可靠性问题，所述单独阈值电压在下文中被称为随时间的“Vt漂移”。使用较高Vt编程到各个状态的存储器单元（诸如编程到“重置”状态（例如，存储“0”的值）的存储器单元）可随时间漂移，使得写入选择失败的风险针对每个时间单位增加，直到对这些存储器单元进行新写入或刷新写入为止。换句话说，如果在一个或多个时间单位（例如，48小时）到期之前没有实现新写入或刷新写入，则在一个或多个时间单位之后的后漂移（post-drift）Vt可导致高于最大写入选择偏置电压的Vt。高于最大写入选择偏置电压的Vt可促使存储器单元变得不可编程或不能够可靠地存储数据。

附图说明

图1示出了示例系统。

图2示出了示例阵列部分。

图3示出了示例分布。

图4示出了示例曲线图。

图5示出了存储单元电压偏置的示例对比。

图6示出了示例第一方案。

图7示出了示例第二方案。

图8示出了设备的示例框图。

图9示出了逻辑流程的示例。

图10示出了存储介质的示例。

图11示出了示例计算平台。

具体实施方式

如本公开中所设想的，在一个或多个时间单位上的Vt漂移可导致非易失性存储器单元的写入选择失败。尤其是对于被编程到重置状态的非易失性存储器单元而言也是如此。可包括诸如相变存储器（PCM）之类的电阻性类型的存储器单元的一种类型的非易失性存储器架构可易受此类型的Vt漂移影响。在一些示例中，PCM可包括由硫族化物相变材料（例如，硫族化物玻璃）组成的存储器单元。基于硫族化物的存储器单元可表征为电阻性类型的存储器单元，其面临由于随时间的Vt漂移而导致的可能的可靠性问题。例如，如果在给定的时间量内没有实现新写入或刷新写入，则基于硫族化物的存储器单元的阈值电压可以在一个或多个时间单位上继续增加。最后，基于硫族化物的存储单元的阈值电压可能漂移超过最大选择偏置电压。用于减轻该Vt漂移的技术是以固定间隔实现基于硫族化物的存储器单元的单个刷新写入，该单个刷新写入重置Vt漂移，使得基于硫族化物的存储器单元的Vt可以被移位到小于最大写入选择偏置电压。

用于基于固定间隔上的单个刷新写入的减轻Vt漂移的技术可具有两个缺点。第一个缺点是没有验证单个刷新写入曾成功地重置Vt漂移，使得基于硫族化物的存储器单元的Vt小于最大选择偏置电压。例如，如果后漂移Vt已经高于最大选择偏置，则目标为刷新写入的存储器单元可能不被选择用于刷新写入，并且因此Vt漂移将不会被成功地重置。这可能导致包括存储器单元的存储器装置的不可接受的高误比特率。第二个缺点是Vt漂移与材料、制造工艺或用于电阻性类型的存储器单元（诸如基于硫族化物的存储器单元）的编程算法有强烈的相关性。因此，固定间隔可能不会考虑材料、制造工艺或编程算法中的可能的可变性。可能的可变性可能促使或导致额外的选择失败。本文描述的示例可解决上文提及的缺点以及与Vt漂移相关联的其它挑战。