[发明专利]用于减轻针对存储器装置的选择失败的技术

权利要求书

1. 一种设备，包括：

用于访问存储器装置的存储器单元的接口；以及

用于所述存储器装置的控制器，所述控制器包括逻辑，所述逻辑的至少一部分被实现为硬件，所述逻辑用于：

经由将一个或多个选择偏置电压施加到所述存储器单元，从所述存储器单元当中选择存储器单元以用于第一刷新写入操作；

基于在施加了所述一个或多个选择偏置电压时是否检测到所述存储器单元的跳回事件来确定所述存储器单元是否曾被选择用于所述第一刷新写入操作；以及

基于在施加了所述一个或多个选择偏置电压时没有检测到所述存储器单元的跳回事件，经由重新施加所述一个或多个选择偏置电压来选择所述存储器单元以用于第二刷新写入操作。

2.根据权利要求1所述的设备，包括用于响应于时间段的到期而选择用于所述第一刷新写入操作的所述存储器单元的所述逻辑。

3.根据权利要求2所述的设备，所述时间段包括48小时。

4. 根据权利要求2所述的设备，还包括用于以下操作的所述逻辑：

基于在重新施加了所述一个或多个选择偏置电压时是否检测到所述存储器单元的跳回事件来确定所述存储器单元是否曾被选择用于所述第二刷新写入操作；以及

基于在重新施加了所述一个或多个选择偏置电压时未检测到所述存储器单元的跳回事件，将所述存储器单元标识为在所述时间段上具有导致选择失败的电压阈值漂移。

5.根据权利要求1所述的设备，所述第一刷新写入操作和所述第二刷新写入操作包括重置写入操作。

6.根据权利要求1所述的设备，所述一个或多个选择偏置电压包括第一选择偏置电压和第二选择偏置电压，所述第一选择偏置电压是选择所述存储器单元以用于编程时间限制内的刷新写入操作的最高选择偏置电压，所述第二选择偏置电压小于所述最高选择偏置电压。

7.根据权利要求1所述的设备，包括所述存储器单元是非易失性存储器单元，其中所述非易失性存储器单元包括使用硫族化物相变材料的相变存储器、铁电存储器、存储器、聚合物存储器、铁电聚合物存储器、铁电晶体管随机存取存储器（FeTRAM或FeRAM）、奥氏存储器、纳米线存储器、磁阻随机存取存储器（MRAM）或自旋转移矩MRAM（STT-MRAM）。

8.根据权利要求1所述的设备，包括以下中的一个或多个：

通信地耦合到所述控制器的一个或多个处理器；

通信地耦合到所述设备的网络接口；

耦合到所述设备的电池；或

通信地耦合到所述设备的显示器。

9.一种方法，包括：

经由将一个或多个选择偏置电压施加到存储器单元来选择存储器装置的所述存储器单元以用于第一刷新写入操作；

基于在施加了所述一个或多个选择偏置电压时是否检测到所述存储器单元的跳回事件来确定所述存储器单元是否曾被选择用于所述第一刷新写入操作；以及

基于在施加了所述一个或多个选择偏置电压时没有检测到所述存储器单元的跳回事件，经由重新施加所述一个或多个选择偏置电压来选择所述存储器单元以用于第二刷新写入操作。

10.根据权利要求9所述的方法，包括响应于时间段的到期而选择用于所述第一刷新写入操作的所述存储器单元。

11. 根据权利要求10所述的方法，还包括：

基于在重新施加了所述一个或多个选择偏置电压时是否检测到所述存储器单元的跳回事件来确定所述存储器单元是否曾被选择用于所述第二刷新写入操作；以及

基于在重新施加了所述一个或多个选择偏置电压时未检测到所述存储器单元的跳回事件，将所述存储器单元标识为在所述时间段上具有导致选择失败的电压阈值漂移。

12.根据权利要求9所述的方法，所述第一刷新写入操作和所述第二刷新写入操作包括重置写入操作。