[发明专利]用于制造光学接近度传感器的方法在审
申请号: | 202010081705.6 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN111273257A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 靳永钢 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | G01S7/481 | 分类号: | G01S7/481;G01S17/08;H01L25/16;H01L21/52;G06F1/3231;G06F3/01 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 光学 接近 传感器 方法 | ||
1.一种用于制造光学接近度传感器的方法,所述方法包括:
形成封装顶板,所述封装顶板包括光发射开口和光接收开口,二者均从所述封装顶板的第一表面穿过所述封装顶板而延伸至所述封装顶板的第二表面,其中所述第一表面是所述光学接近度传感器的外表面、与第二表面相对;
将光发射元件附接至所述封装顶板的所述第二表面与所述光发射开口相邻;
将光接收元件附接至所述封装顶板的所述第二表面与所述光接收开口相邻;
在附接所述光发射元件和所述光接收元件之后,将封装本体形成至所述封装顶板的所述第二表面上,以限定包围所述光发射元件的光发射空腔以及包围所述光接收元件的光接收空腔;
在将所述封装本体形成至所述封装顶板上之前,在所述封装顶板的外周部周围形成沟槽;以及
在附接所述光发射元件和所述光接收元件之前,将胶沉积在所述封装顶板的所述第二表面上与所述光发射开口和所述光接收开口相邻。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述封装顶板的所述第一表面具有平面表面。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述封装本体包括沿所述封装顶板的外周部形成多个侧壁,以及在所述光发射空腔和所述光接收空腔之间形成分隔壁。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述封装本体被形成为使得所述侧壁和所述分隔壁接触所述光发射元件的外边缘和所述光接收元件的外边缘。
5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
形成连接器板组件,所述连接器板组件包括光发射器和光接收器;以及
将所述连接器板组件附接至所述封装本体从而使得所述光发射器与所述光发射空腔对准并且所述光接收器与所述光接收空腔对准,其中所述封装本体在所述封装顶板和所述连接器板组件之间。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光发射元件和所述光接收元件各自包括玻璃。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光发射元件和所述光接收元件中的每一者的厚度在约200-300微米的范围内。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光发射元件和所述光接收元件各自是矩形形状的。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述光发射元件和所述光接收元件的每条边在0.5-1.0毫米的范围内。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光发射开口和所述光接收开口中的每一者的直径在0.3-0.5毫米的范围内。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述封装顶板和所述封装本体各自使用热塑成型材料形成。
12.一种用于制造光学接近度传感器的方法,所述方法包括:
形成包括光发射开口和光接收开口的封装顶板,所述光发射开口和光接收开口均从所述封装顶板的第一表面穿过所述封装顶板而延伸至所述封装顶板的第二表面;
将胶沉积在所述封装顶板的所述第二表面上与所述光发射开口相邻并且与所述光接收开口相邻;
将光发射元件附接至所述封装顶板的所述第二表面与所述光发射开口相邻;
将光接收元件附接至所述封装顶板与所述光接收开口相邻;
在附接所述光发射元件和所述光接收元件之后,将封装本体形成至所述封装顶板的所述第二表面上,所述封装本体包括沿着所述封装顶板的外周部的多个侧壁以及在所述侧壁之间延伸的分隔壁以限定包围所述光发射元件的光发射空腔以及包围所述光接收元件的光接收空腔;以及
在将所述封装本体形成至所述封装顶板上之前,在所述封装顶板的外周部周围形成沟槽;
其中所述胶在附接所述光发射元件和所述光接收元件之前被沉积。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述封装顶板的所述第一表面具有平面表面。
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