[发明专利]存储器装置

说明书

本发明公开了存储器装置，包括叠层结构、存储元件、通道元件与半导体层。叠层结构包括源极层、绝缘层、与栅电极层。绝缘层在源极层上。栅电极层在绝缘层上。存储元件在栅电极层的电极侧壁表面上。存储单元定义在通道元件与栅电极层之间的存储元件中。半导体层电性连接在源极层与通道元件之间。半导体层与源极层之间具有一接口。接口是横向偏移在绝缘层的一绝缘侧壁表面的内侧。

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置。

背景技术

随着集成电路中元件的关键尺寸逐渐缩小至制备工艺方法所能感知的极限，设计者已经开始寻找可达到更大存储器密度的技术，从而达到较低的位成本(costs per bit)。

发明内容

本发明是有关于一种存储器装置。

根据本发明的一方面，提出一种存储器装置包括叠层结构、存储元件、通道元件与半导体层。叠层结构包括源极层、绝缘层、与栅电极层。绝缘层在源极层上。栅电极层在绝缘层上。存储元件在栅电极层的电极侧壁表面上。存储单元定义在通道元件与栅电极层之间的存储元件中。半导体层电性连接在源极层与通道元件之间。半导体层与源极层之间具有一接口。接口是横向偏移在绝缘层的一绝缘侧壁表面的内侧。

根据本发明的另一方面，提出一种存储器装置包括叠层结构、存储元件、通道元件与半导体层。叠层结构包括一源极层与多个栅电极层。栅电极层在源极层的相同侧上。存储元件在栅电极层的电极侧壁表面上。存储单元定义在通道元件与栅电极层之间的存储元件中。半导体层电性连接在通道元件与源极层之间。半导体层并包括第一半导体部分与第二半导体部分。第二半导体部分电性连接在第一半导体部分与通道元件之间。第一半导体部分的一半导体侧壁表面是横向偏移在第二半导体部分的一半导体侧壁表面的外侧。

根据本发明的又另一方面，提出一种存储器装置包括叠层结构、存储元件、通道元件与半导体层。叠层结构包括源极层与栅电极层。栅电极层在源极层的相同侧上。存储元件在栅电极层的电极侧壁表面上。存储单元定义在通道元件与栅电极层之间的存储元件中。半导体层包括第一半导体部分与第二半导体部分。第二半导体部分电性连接在第一半导体部分与通道元件之间。第一半导体部分的横向尺寸是大于第二半导体部分的横向尺寸。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1绘示一实施例的存储器装置的剖面示意图。

图2绘示另一实施例的存储器装置的剖面示意图。

图3A至图3O绘示一实施例的存储器装置的制造方法。

图4A至图4E绘示另一实施例的存储器装置的制造方法。

【符号说明】

102：半导体衬底

102S：上半导体表面

204：叠层结构

306：存储元件

306L：横向延伸存储部分

306V：纵向延伸存储部分

408：通道元件

420、432、434：通道层

510：半导体层

510A：第一半导体部分

510AS：半导体侧壁表面

510B：第二半导体部分

510BS：半导体侧壁表面

510C：第三半导体部分

510CU：上半导体表面