[发明专利]存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

一叠层结构，包括：

一源极层；

一第一绝缘层，在该源极层上；及

多个栅电极层，在该第一绝缘层上；

一存储元件，在该些栅电极层的电极侧壁表面上；

一通道元件，其中多个存储单元定义在该通道元件与该些栅电极层之间的该存储元件中；及

一半导体层，电性连接在该源极层与该通道元件之间，该半导体层与该源极层之间具有一接口，该接口是横向偏移在该第一绝缘层的一绝缘侧壁表面的内侧。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该半导体层邻接该第一绝缘层的一下绝缘表面。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该叠层结构还包括一第二绝缘层，其中该源极层在该第一绝缘层与该第二绝缘层之间，该接口是横向偏移在该第二绝缘层的一绝缘侧壁表面的内侧。

4.一种存储器装置，包括：

一叠层结构，包括一源极层与多个栅电极层，该些栅电极层在该源极层的相同侧上；

一存储元件，在该些栅电极层的电极侧壁表面上；

一通道元件，其中多个存储单元定义在该通道元件与该些栅电极层之间的该存储元件中；及

一半导体层，电性连接在该通道元件与该源极层之间，并包括一第一半导体部分与一第二半导体部分，该第二半导体部分电性连接在该第一半导体部分与该通道元件之间，该第一半导体部分的一半导体侧壁表面是横向偏移在该第二半导体部分的一半导体侧壁表面的外侧。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中该半导体层还包括一第三半导体部分，其中该第一半导体部分电性连接在该二半导体部分与该第三半导体部分之间，该第一半导体部分的该半导体侧壁表面是横向偏移在该第三半导体部分的一半导体侧壁表面的外侧。

6.一种存储器装置，包括：

一叠层结构，包括一源极层与多个栅电极层，该些栅电极层在该源极层的相同侧上；

一存储元件，在该些栅电极层的电极侧壁表面上；

一通道元件，其中多个存储单元定义在该通道元件与该些栅电极层之间的该存储元件中；及

一半导体层，包括一第一半导体部分与一第二半导体部分，该第二半导体部分电性连接在该第一半导体部分与该通道元件之间，其中该第一半导体部分的一横向尺寸是大于该第二半导体部分的一横向尺寸。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中该半导体层还包括一第三半导体部分，其中该第一半导体部分电性连接在该二半导体部分与该第三半导体部分之间，该第一半导体部分的该横向尺寸是大于该第三半导体部分的一横向尺寸。

8.根据权利要求1、4或6中任一项所述的存储器装置，还包括一半导体衬底，其中该半导体层邻接在该半导体衬底的一上半导体表面上，其中该半导体衬底的导电型是相反于该源极层的导电型。

9.根据权利要求1、4或6中任一项所述的存储器装置，还包括一导电源极元件，延伸在该叠层结构中，其中该半导体层与该源极层电性连接在该导电源极元件与该通道元件之间。

10.根据权利要求4或6所述的存储器装置，其中该源极层的导电性质是不同于该第一半导体部分与该第二半导体部分的导电性质。