[发明专利]气化装置、成膜装置、程序记录介质及浓度控制方法在审
| 申请号: | 202010080528.X | 申请日: | 2020-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN111560600A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
| 发明(设计)人: | 志水彻;南雅和 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场STEC |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C14/22;C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张欣;金玉兰 |
| 地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 气化 装置 程序 记录 介质 浓度 控制 方法 | ||
1.一种气化装置,其特征在于,具备:
气化罐,其储存液体或者固体的材料;载气供给路径,其向所述气化罐供给载气;材料气体导出路径,其流通使所述材料气化而从所述气化罐导出的材料气体;浓度监测器,其设置于所述材料气体导出路径;以及浓度控制机构,其具备对从所述材料气体导出路径导出的材料气体的浓度进行控制的流体控制设备,所述气化装置重复进行所述材料气体的供给和停止,
所述浓度控制机构具备:
浓度计算部,其基于来自所述浓度监测器的输出信号计算所述材料气体的实际浓度;
浓度控制部,其在供给所述材料气体的供给期间,进行以使构成所述浓度控制机构的流体控制设备的控制值成为预先设定的初始设定值的方式进行控制的第一控制之后,进行以通过控制该流体控制设备而使所述实际浓度接近预先设定的目标值的方式进行反馈控制的第二控制;以及
控制切换部,其基于所述浓度控制部开始所述第一控制之后的所述实际浓度的经时变化,将所述浓度控制部的控制状态从所述第一控制切换到所述第二控制。
2.根据权利要求1所述的气化装置,其特征在于,所述气化装置还具备稀释气体供给路径,所述稀释气体供给路径与所述材料气体导出路径汇流而向该材料气体导出路径供给稀释气体,
所述浓度控制机构具备设置于所述载气供给路径的第一流量控制设备和设置于所述稀释气体供给路径的第二流量控制设备作为所述流体控制设备,
所述浓度控制部在供给所述材料气体的供给期间,进行以使流经所述第一流量控制设备的流量和流经所述第二流量控制设备的流量分别成为预先设定的初始设定值的方式进行控制的第一控制之后,进行以通过控制流经所述第一流量控制设备的流量和流经所述第二流量控制设备的流量中的至少一方而使所述实际浓度接近预先设定的目标值的方式进行反馈控制的第二控制。
3.根据权利要求1所述的气化装置,其特征在于,所述浓度控制机构具备设置于所述载气供给路径的流量控制设备和设置于比所述材料气体导出路径的所述浓度监测器靠近下游侧的位置的压力控制设备作为所述流体控制设备,
所述浓度控制部在供给所述材料气体的供给期间,进行以使流经所述流量控制设备的流量和所述压力控制设备的上游侧的压力分别成为预先设定的初始设定值的第一控制之后,进行以使通过控制流经所述流量控制设备的流量和所述压力控制设备的上游侧的压力中的至少一方而使所述实际浓度接近预先设定的目标值的方式进行反馈控制的第二控制。
4.根据权利要求1所述的气化装置,其特征在于,所述控制切换部基于所述实际浓度相对于所述第一控制开始之后的经过时间的变化率,将所述浓度控制部的控制状态从所述第一控制切换到所述第二控制。
5.根据权利要求4所述的气化装置,其特征在于,所述控制切换部在所述实际浓度的变化率为阈值以下的情况下,将所述浓度控制部的控制状态从所述第一控制切换到所述第二控制。
6.根据权利要求5所述的气化装置,其特征在于,所述控制切换部在所述实际浓度的变化率为阈值以下之前所述经过时间超过预先设定的设定时间的情况下,将所述浓度控制部的控制状态从所述第一控制切换到所述第二控制。
7.根据权利要求5所述的气化装置,其特征在于,所述气化装置还具有阈值设定部,所述阈值设定部基于所述浓度控制部的所述第一控制开始之后的所述实际浓度的经时变化来设定阈值。
8.根据权利要求7所述的气化装置,其特征在于,所述阈值设定部基于所述第一控制开始之后的所述实际浓度的变化率的最大值,或者在该第一控制开始之后经过预定时间的时刻的所述实际浓度的变化率来设定阈值。
9.根据权利要求7所述的气化装置,其特征在于,所述阈值设定部在每个所述供给期间,基于该供给期间的所述第一控制开始之后的所述实际浓度的经时变化重新设定阈值。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





