[发明专利]一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备

说明书

本发明公开一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备，涉及半导体制造技术领域，以提高图案化层状结构的生产效率和产率，降低成本。所述层图案化方法包括：提供基底，在基底上形成共混材料层；共混材料层含有可相分离的第一组分和第二组分。对共混材料层所含有的第一组分和第二组分进行分相，获得簇状分相层；簇状分相层包括至少一个第一团簇结构和至少一个第二团簇结构。去除簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构。所述层图案化方法用于制作半导体器件，所述半导体器件应用于电子设备中。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备。

背景技术

光刻技术是支撑先进的集成电路器件更新换代的核心制造技术之一，每一代新的集成电路的出现，总是以光刻工艺实现更小特征尺寸为主要技术标志的。

然而，现有光刻技术极高的工艺开发成本、工艺复杂性及光刻本身的物理限制，制约着现有的光刻技术的进一步发展。尤其是在面临更小尺寸的图形制作时，在产率和图形精度方面存在有很大的限制，业内急需一种能够兼顾产率、精度与成本的解决方案。

发明内容

本发明的目的在于提供一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备，用以提高图案化层状结构的生产效率和产率，降低成本。

为了实现上述目的，本发明提供一种层图案化方法，包括：

提供基底，在基底上形成共混材料层；共混材料层含有可相分离的第一组分和第二组分。

对共混材料层所含有的第一组分和第二组分进行分相，获得簇状分相层；簇状分相层包括至少一个第一团簇结构和至少一个第二团簇结构。

去除簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构。

可选的，第一组分为共聚物，第二组分为均聚物；以质量份数计，共混材料层含有的共聚物为1份～100份，均聚物为10份。

优选的，共聚物为聚苯乙烯-嵌段-聚碳酸酯、聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯-嵌段-聚二甲基硅氧烷，或者，聚苯乙烯-嵌段-聚氧乙烯；均聚物为聚苯乙烯。

可选的，基底包括衬底和形成在衬底上的中性层。

可选的，去除簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构包括：将簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构进行气化，获得图案化层状结构。

优选的，将簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构进行气化，获得图案化层状结构包括：对簇状分相层进行退火处理，使得簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构气化，以获得图案化层状结构。

优选的，将簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构进行气化后，获得图案化层状结构后，层图案化方法还包括：确定基底还具有至少一个第一团簇结构的残余物的情况下，对图案化层状结构进行刻蚀。

优选的，去除簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构后，层图案化方法还包括：在图案化层状结构的掩膜下，对基底进行刻蚀。

本发明提供的层图案化方法，将第一组分和第二组分混合在一起，并进行相分离，可以快速获得层图案化结构所需的第一团簇结构和第二团簇结构。并且，由于第一组分和第二组分混合在一起，无需提前按照第一团簇结构和第二团簇结构所需比例单独合成共聚物，因此，本发明提供的层图案化方法可以简化形成图案化层状结构的工艺步骤，提高图案化层状结构的生产效率和产率，降低成本。

本发明还提供一种半导体器件，该半导体器件包括至少一层图案化层状结构，所述图案化层状结构采用上述层图案化方法制备形成。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件，其有益效果与上述技术方案提供的层图案化方法的有益效果相同，在此不做赘述。