[发明专利]一种层图案化方法和半导体器件、集成电路和电子设备在审
| 申请号： | 202010080527.5 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111341658A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘伟晨;韦亚一;张利斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图案 方法 半导体器件 集成电路 电子设备 | ||
1.一种层图案化方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底上形成共混材料层；所述共混材料层含有可相分离的第一组分和第二组分；
对所述共混材料层所含有的第一组分和第二组分进行分相，获得簇状分相层；所述簇状分相层包括至少一个第一团簇结构和至少一个第二团簇结构；
去除所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构。
2.根据权利要求1所述的层图案化方法，其特征在于，所述第一组分为共聚物，所述第二组分为均聚物；
以质量份数计，所述共混材料层含有的共聚物为1份～100份，所述均聚物为10份。
3.根据权利要求2所述的层图案化方法，其特征在于，所述共聚物为聚苯乙烯-嵌段-聚碳酸酯、聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯-嵌段-聚二甲基硅氧烷，或者，聚苯乙烯-嵌段-聚氧乙烯；所述均聚物为聚苯乙烯。
4.根据权利要求1所述的层图案化方法，其特征在于，所述基底包括衬底和形成在衬底上的中性层。
5.根据权利要求1所述的层图案化方法，其特征在于，
去除所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构包括：
将所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构进行气化，获得图案化层状结构。
6.根据权利要求5所述的层图案化方法，其特征在于，
所述将所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构进行气化，获得图案化层状结构包括：
对所述簇状分相层进行退火处理，使得所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构气化，以获得图案化层状结构。
7.根据权利要求5所述的层图案化方法，其特征在于，
将所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构进行气化，获得图案化层状结构后，所述层图案化方法还包括：
确定所述基底还具有至少一个第一团簇结构的残余物的情况下，对所述图案化层状结构进行刻蚀。
8.根据权利要求5所述的层图案化方法，其特征在于，
去除所述簇状分相层含有的至少一个第一团簇结构，获得图案化层状结构后，所述层图案化方法还包括：
在所述图案化层状结构的掩膜下，对所述基底进行刻蚀。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：至少一层图案化层状结构，所述图案化层状结构采用权利要求1-8中任一所述的层图案化方法制备形成。
10.一种集成电路，其特征在于，包括权利要求9所述的半导体器件。
11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求10所述的集成电路。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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