[发明专利]逆变器装置在审
| 申请号: | 202010079573.3 | 申请日: | 2020-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN111756253A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
| 发明(设计)人: | 斋藤恒之;秋山和成 | 申请(专利权)人: | 日本电产艾莱希斯株式会社 |
| 主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H05K5/02;H05K7/20 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 逆变器 装置 | ||
1.一种逆变器装置,其特征在于,
该逆变器装置具有:
壳体,其具有供冷却介质流动的冷却流路;
DCDC转换器,其具有相对于所述壳体的所述冷却流路配置于一侧的电抗器和相对于所述壳体的所述冷却流路配置于另一侧的功率基板;
第1逆变器电路模块,其配置于所述壳体的所述一侧,具有第1绝缘栅双极型晶体管;
第2逆变器电路模块,其配置于所述壳体的所述另一侧,具有第2绝缘栅双极型晶体管;以及
控制基板,其配置于所述壳体的所述另一侧。
2.根据权利要求1所述的逆变器装置,其特征在于,
所述DCDC转换器具有相对于所述壳体纵向配置的DCDC控制基板。
3.根据权利要求1或2所述的逆变器装置,其特征在于,
所述壳体具有贯通的开口部,
所述逆变器装置还具有配置于所述开口部的薄膜电容器。
4.根据权利要求3所述的逆变器装置,其特征在于,
所述开口部向所述一侧和所述另一侧开口,
所述薄膜电容器与所述第1逆变器电路模块和所述第2逆变器电路模块相邻设置。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的逆变器装置,其特征在于,
所述壳体具有:
壳体主体,其设置有所述冷却流路;
第1罩,其位于所述壳体主体的所述一侧,收纳所述DCDC转换器的电抗器和所述第1逆变器电路模块;以及
第2罩,其位于所述壳体主体的所述另一侧,收纳所述控制基板,
在所述第1罩上设置有用于将三相马达与所述第1逆变器电路模块连接的接口。
6.根据权利要求5所述的逆变器装置,其特征在于,
所述第1罩具有收纳所述DCDC转换器的电抗器和所述第1逆变器电路模块的第1凸状部以及未收纳任何部件的第1平面部,
所述第2罩具有收纳所述控制基板的第2凸状部以及未收纳任何部件的第2平面部。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的逆变器装置,其特征在于,
该逆变器装置还具有:
L字状的安装部件,其一端安装于所述壳体的所述电抗器与所述功率基板之间的壁部;以及
屏蔽板,其配置于所述电抗器和所述功率基板与所述DCDC转换器的DCDC控制基板之间,并且安装于所述安装部件的另一端。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的逆变器装置,其特征在于,
该逆变器装置还具有设置于所述控制基板与所述第2逆变器电路模块之间的屏蔽板。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的逆变器装置,其特征在于,
该逆变器装置还具有汇流条,该汇流条连接所述电抗器和所述功率基板,
所述壳体具有壁部,该壁部设置于所述电抗器与所述功率基板之间,并且具有用于配置所述汇流条的缺口部。
10.根据权利要求9所述的逆变器装置,其特征在于,
所述壁部载置有所述电抗器,并且载置有所述电抗器的区域的板厚比所述区域以外的区域的板厚大。
11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的逆变器装置,其特征在于,
所述壳体具有与所述冷却流路连通的冷却凹部,
所述第1逆变器电路模块和所述第2逆变器电路模块分别具有散热销,该散热销配置为向所述冷却凹部内突出,并且被在所述冷却凹部中流动的所述冷却介质冷却,
所述冷却凹部的深度比所述散热销相对于所述冷却凹部的突出长度深。
12.根据权利要求11所述的逆变器装置,其特征在于,
将所述冷却凹部与所述冷却流路连通的连通部从所述冷却流路朝向所述冷却凹部倾斜。
13.根据权利要求11或12所述的逆变器装置,其特征在于,
所述冷却凹部由第1冷却凹部和第2冷却凹部构成,所述第1冷却凹部对所述第1逆变器电路模块的所述散热销进行冷却,所述第2冷却凹部对所述第2逆变器电路模块的所述散热销进行冷却,
所述壳体具有划分出所述第1冷却凹部和所述第2冷却凹部的划分部,
所述划分部的厚度比所述冷却流路的内径小。
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