[发明专利]一种N型太阳能电池硼扩散方法在审
申请号: | 202010079282.4 | 申请日: | 2020-02-03 |
公开(公告)号: | CN111341649A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 林佳继;祁文杰;张耀;刘群;张武;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/225;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 扩散 方法 | ||
本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法,包括将制绒的硅片装入石英舟中,推入扩散炉石英管中;同时通入BCl3和O2,进行第一次沉积;升温,继续通入BCl3和O2,进行第二次沉积;升温,抽真空至低压状态;通入1~10L氮气;通入1~20L氧气;降温、推舟、卸片。本发明克服了高温硼掺杂中掺杂浓度难以控制以及边缘区域扩散方阻不均匀问题,显著降低太阳能电池表面少子复合速率并降低电池横向传输电阻,提升电池开路电压和填充因子。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种N型太阳能电池硼扩散方法。
背景技术
在太阳能光伏电池技术领域,由于其工艺技术的成熟和成本的降低,P型PERC电池片技术已成为市场上的主流。尽管拥有较大的市场份额,但是P型电池的效率极限和光衰等问题已经成为其进一步发展的障碍。而N型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势,是实现高效率太阳能电池的理想材料。N型电池组件还具有弱光响应好,温度系数低的优点。随着市场对效率和品质的要求越来越高,单晶N型电池由于自身的天然优势,将会成为市场的追逐的方向。
目前规模化量产高效晶硅电池结构基本都基于N型单晶,但是在规模化N型太阳能电池生产中,其难点在于硼扩散发射结的制备及其扩散均匀性和掺杂表面浓度的控制。目前,存在高温硼掺杂中掺杂浓度难以控制以及边缘区域扩散方阻不均匀问题。
发明内容
针对上述情况,为克服现有技术的缺陷,本发明提供一种N型太阳能电池硼扩散方法。
为了实现上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种N型太阳能电池硼扩散方法,包括以下步骤:
(1)将制绒的硅片装入石英舟中,扩散炉石英炉管采用低压扩散方式,将石英舟推入内部温度为800~850℃的扩散炉石英管中;
(2)同时通入50~300sccm的BCl3气体和100~1000sccm的O2气体,进行第一次沉积;
(3)升温至850~900℃,继续通入50~300sccm的BCl3气体、100~1000sccm的O2,进行第二次沉积;
(4)升温至950~1050℃,通过真空泵进行抽真空,使扩散炉石英炉管氛围为100mbar以下低压状态;
(5)温度稳定后,通入1~10L氮气,回压;
(6)通入1~20L氧气;
(7)降温出舟:温度降至700~800℃时,将石英舟从扩散炉石英炉管中取出;
(8)卸片:将硅片从石英舟上取下。
进一步地,步骤(1)中,低压扩散方式中的压力为200~300mbar。
进一步地,步骤(2)具体为:同时通入BCl3气体、O2,保持5min,进行一次沉积。
进一步地,步骤(3)具体为:升温至850~900℃,继续通入BCl3、O2,POCl3保持5min,进行二次沉积。
进一步地,步骤(5)具体为:温度稳定后,通入1~10L氮气,回压,并保持5min。
进一步地,步骤(6)具体为:通入1~20L氧气,保持20min。
本发明的有益效果是:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市拉普拉斯能源技术有限公司,未经深圳市拉普拉斯能源技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010079282.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造