[发明专利]蒸镀掩模、蒸镀掩模装置及其制造方法、中间体、蒸镀方法及有机EL显示装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010076841.6 申请日: 2020-01-23
公开(公告)号: CN111485194A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 池永知加雄 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 蒸镀掩模 装置 及其 制造 方法 中间体 有机 el 显示装置
【权利要求书】:

1.一种蒸镀掩模,其特征在于,

所述蒸镀掩模具备:

掩模主体;和

支承体,其接合于所述掩模主体,

所述掩模主体具有第1校准标识,所述支承体具有第2校准标识,

所述第1校准标识和所述第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置,并且所述第1校准标识和所述第2校准标识中的任意一方比另一方大。

2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模,其特征在于,

所述掩模主体具有形成有多个贯通孔的镀层。

3.根据权利要求1所述的蒸镀掩模,其特征在于,

所述掩模主体具有互相层叠的金属层和树脂掩模。

4.根据权利要求1所述的蒸镀掩模,其特征在于,

所述第1校准标识是形成于所述掩模主体的贯通孔。

5.根据权利要求1所述的蒸镀掩模,其特征在于,

所述第2校准标识是形成于所述支承体的贯通孔。

6.根据权利要求1所述的蒸镀掩模,其特征在于,

所述第2校准标识是凹陷至所述支承体的厚度方向中途的非贯通孔。

7.根据权利要求1所述的蒸镀掩模,其特征在于,

所述支承体包含:位于所述掩模主体侧的第1支承基板;和位于所述第1支承基板上的第2支承基板,所述第2校准标识包含:所述第1支承基板的第1部分;和所述第2支承基板的第2部分,所述第1部分在俯视时比所述第2部分小。

8.一种蒸镀掩模装置,其特征在于,

所述蒸镀掩模装置具备:

权利要求1所述的蒸镀掩模;和

框架,其接合于所述蒸镀掩模的所述支承体。

9.一种中间体,其特征在于,

所述中间体具备:

基材;

掩模主体,其接合于所述基材;以及

支承体,其接合于所述掩模主体,

所述掩模主体具有第1校准标识,所述支承体具有第2校准标识,

所述第1校准标识和所述第2校准标识被设置于在俯视时互相重合的位置,并且所述第1校准标识和所述第2校准标识中的任意一方比另一方大。

10.根据权利要求9所述的中间体,其特征在于,

所述掩模主体具有形成有多个贯通孔的镀层。

11.根据权利要求9所述的中间体,其特征在于,

所述掩模主体具有互相层叠的金属层和树脂掩模。

12.根据权利要求9所述的中间体,其特征在于,

所述第1校准标识是形成于所述掩模主体的贯通孔。

13.根据权利要求9所述的中间体,其特征在于,

所述第1校准标识是形成于所述基材上的岛状的突起。

14.根据权利要求9所述的中间体,其特征在于,

所述第2校准标识是形成于所述支承体的贯通孔。

15.根据权利要求9所述的中间体,其特征在于,

所述第2校准标识是凹陷至所述支承体的厚度方向中途的非贯通孔。

16.根据权利要求9所述的中间体,其特征在于,

所述支承体包含:位于所述掩模主体侧的第1支承基板;和位于所述第1支承基板上的第2支承基板,所述第2校准标识包含:所述第1支承基板的第1部分;和所述第2支承基板的第2部分,所述第1部分在俯视时比所述第2部分小。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本印刷株式会社,未经大日本印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010076841.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top