[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

存储器装置及其操作方法。具有改进的阈值电压分布的存储器装置包括：存储块，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为对存储块执行擦除操作；以及控制逻辑，其被配置为：响应于从外部源接收到的中断命令，控制外围电路以中断擦除操作；响应于继中断命令之后接收到的恢复命令，通过使用多个擦除状态验证电压来确定多个存储器单元的擦除状态；以及基于确定结果来确定要施加到存储块的擦除电压的电平和擦除电压要被施加的擦除电压施加时间。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地，涉及存储器装置及其操作方法。

背景技术

使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)之类的半导体来实现存储器装置。通常，存在两种类型的存储器装置：易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

在易失性存储器装置中，当供电中断时所存储的数据消失。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。在非易失性存储器装置中，即使在供电中断时所存储的数据也被保留。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁式RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。通常，闪存是NOR型闪存或NAND型闪存。

发明内容

实施方式提供了一种具有改进的阈值电压分布的存储器装置以及该存储器装置的操作方法。

根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：存储块，其包括多个存储器单元；外围电路，其被配置为对存储块执行擦除操作；以及控制逻辑，其被配置为：响应于从外部源接收到的中断命令，控制外围电路以中断擦除操作；响应于继中断命令之后接收到的恢复命令，通过使用多个擦除状态验证电压来确定多个存储器单元的擦除状态；以及基于确定结果来确定要施加到存储块的擦除电压的电平和擦除电压要被施加的擦除电压施加时间。

根据本公开的另一方面，提供了一种用于操作存储器装置以对包括多个存储器单元的存储块执行擦除操作的方法，该方法包括：响应于从存储器控制器接收到的擦除命令而执行擦除操作；响应于从存储器控制器接收到的中断命令，中断擦除操作；当从存储器控制器接收到恢复命令时，通过向多个存储器单元施加多个擦除状态验证电压，来确定多个存储器单元的阈值电压状态；以及基于确定操作的结果，确定要施加到存储块的擦除电压。

根据本公开的一个方面，提供了一种储存装置，该储存装置包括：存储器装置，其包括多个存储器单元；控制器，其用于依次向存储器装置提供擦除命令、中断命令和恢复命令，其中，存储器装置：响应于擦除命令，使用与第一擦除脉冲相对应的第一擦除电压对多个存储器单元执行擦除操作；响应于中断命令而中断擦除操作；响应于恢复命令，使用包括第一擦除状态验证电压和比第一擦除状态验证电压大步进电压(step voltage)的第二擦除状态验证电压的多个擦除状态验证电压来验证多个存储器单元的擦除状态；基于验证操作的结果确定第二擦除脉冲的电平和持续时间；以及使用与第二擦除脉冲相对应的第二擦除电压，对多个存储器单元再次执行擦除操作。

附图说明

下面参照附图更全面地描述各种实施方式；然而，本发明的特征和方面可以以不同的形式实施，并且因此不应被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整，并将实施方式的范围充分传达给本领域技术人员。

在附图中，为了例示清楚，可能夸大了尺寸。贯穿全文，相似的附图标记指代相似元件。另外，在整个说明书中，对“一实施方式”、“另一实施方式”等的引用并非仅是一个实施方式，并且对任何这样的短语的不同引用也并非是同一实施方式。

图1是例示根据本公开的实施方式的储存装置的框图。

图2是例示诸如图1所示的存储器装置之类的存储器装置的结构的图。