[发明专利]具有外部功率传感器的半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块，包括：

半导体管芯；

包围所述半导体管芯的模制化合物；

多个端子，其电连接到所述半导体管芯并从所述模制化合物突出出来，其中，所述端子中的第一端子具有被所述模制化合物覆盖的收缩区域，其中，所述模制化合物在所述第一端子的所述收缩区域附近具有凹陷或开口；以及

无芯磁场传感器，其设置在所述模制化合物的所述凹陷或所述开口中并通过所述模制化合物与所述第一端子隔离，所述无芯磁场传感器被配置为响应于由在所述第一端子的所述收缩区域中流动的电流产生的磁场而产生信号，所述信号的大小与在所述第一端子的所述收缩区域中流动的电流的量成比例。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述无芯磁场传感器是磁阻传感器或霍尔传感器。

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第一端子的所述收缩区域包括锥形区域，所述第一端子的宽度在所述锥形区域之上变窄，其中，所述模制化合物的所述凹陷在所述第一端子的所述锥形区域附近，其中，所述无芯磁场传感器是设置在所述模制化合物的所述凹陷中的单端传感器，并且包括被定位为与所述锥形区域的一侧相邻的单个感测元件，并且其中，所述单个感测元件通过所述模制化合物与所述锥形区域隔离。

4.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第一端子的所述收缩区域包括锥形区域，所述第一端子的宽度在所述锥形区域之上变窄，其中，所述模制化合物的所述凹陷在所述第一端子的所述锥形区域附近，其中，所述无芯磁场传感器是设置在所述模制化合物的所述凹陷中的差分传感器，并且包括被定位为与所述锥形区域的第一侧相邻的第一感测元件和被定位为与所述锥形区域的与所述第一侧相对的第二侧相邻的第二感测元件，并且其中，所述第一感测元件和所述第二感测元件通过所述模制化合物与所述锥形区域隔离。

5.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第一端子的所述收缩区域包括蛇形区域，其中，所述模制化合物的所述凹陷在所述第一端子的所述蛇形区域附近，其中，所述无芯磁场传感器是设置在所述模制化合物的所述凹陷中的单端传感器，并且包括被定位为与所述蛇形区域的一侧相邻的单个感测元件，并且其中，所述单个感测元件通过所述模制化合物与所述蛇形区域隔离。

6.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第一端子的所述收缩区域包括蛇形区域，其中，所述模制化合物的所述凹陷在所述第一端子的所述蛇形区域附近，其中，所述无芯磁场传感器是设置在所述模制化合物的所述凹陷中的差分传感器，并且包括被定位为与所述蛇形区域的第一侧相邻的第一感测元件和被定位为与所述蛇形区域的与所述第一侧相对的第二侧相邻的第二感测元件，并且其中，所述第一感测元件和所述第二感测元件通过所述模制化合物与所述蛇形区域隔离。

7.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第一端子的所述收缩区域包括所述第一端子的具有开口的区域，其中，所述模制化合物的开口与所述第一端子中的开口对准，其中，所述无芯磁场传感器是设置在所述模制化合物的开口中的单端传感器，并且包括被定位在所述第一端子中的开口上方或下方的单个感测元件，并且其中，所述单个感测元件通过所述模制化合物与所述第一端子中的开口的侧壁隔离。

8.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第一端子的所述收缩区域包括所述第一端子的具有开口的区域，其中，所述模制化合物的开口与所述第一端子中的开口对准，其中，所述无芯磁场传感器是设置在所述模制化合物的开口中的差分传感器，并且包括被定位在所述第一端子中的开口上方的第一感测元件和被定位在所述第一端子中的开口下方的第二感测元件，并且其中，所述第一感测元件和所述第二感测元件通过所述模制化合物与所述第一端子中的开口的侧壁隔离。

9.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述模制化合物具有突出部，与所述端子中的从所述模制化合物的与所述第一端子相同的一侧突出的其他端子相比，所述突出部覆盖更多的所述第一端子，并且其中，所述模制化合物的所述凹陷或所述开口形成在所述突出部中。