[发明专利]补偿接合的半导体晶片未对准的方法

说明书

本申请涉及补偿接合的半导体晶片未对准的方法。一些实施例包含第一半导体晶片和第二半导体晶片彼此接合的方法。所述第一半导体晶片包含存储器单元阵列，并且所述第二半导体晶片包含用于存取所述存储器单元阵列的电路。在所述接合之后，形成与所述第一半导体晶片相关联的触点。所述触点用于所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的电连接。所述触点与参考位置连接，其中所述触点中的每一个与所述参考位置中相关联的一个连接。所述触点中的每一个从所述参考位置中其相关联的一个偏移，以吸收所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的接合对准误差。

技术领域

补偿接合的半导体晶片未对准的方法。

背景技术

可以通过使用“晶片接合”技术将两个或两个以上晶片彼此接合来构建三维集成组合件。在美国专利第9,666,573号和第10,103,053号中描述了示例晶片接合过程，所述美国专利均转让给了美光科技公司(Micron Technology,Inc.)，并且都将MitsunariSukekawa列为发明人。

在晶片接合期间可能会遇到问题，所述问题可能导致晶片相对于彼此未对准。为了补偿在平版印刷(例如光刻)过程期间发生的潜在对准误差，已经投入了大量的努力。然而，晶片接合期间产生的对准误差可能比光刻过程期间产生的对准误差大得多。因此，期望研发出专门补偿在晶片接合期间出现的相对较大的未对准的方法。

晶片接合技术的潜在应用涉及存储器的制造。在一些应用中，接合的晶片之一可以包括具有常规存储器电路(例如，字线、位线等)的存储器阵列，而接合的晶片中的另一个可以包括常规外围电路(即，与存储器阵列结合使用但通常向存储阵列提供外围设备的电路；如例如，字线驱动器电路、感测放大器电路、输入电路、输出电路等)。在晶片接合技术中遇到的未对准问题可能使得沿着接合的晶片之一的存储器电路难以与沿着接合的晶片中的另一个的外围电路耦合。希望开发出适合使来自第一晶片的存储器电路与接合到第一晶片的第二晶片提供的外围电路耦合的方法。

发明内容

本申请的一个实施例提供了一种方法，其包括：将第一半导体晶片和第二半导体晶片彼此接合，所述第一半导体晶片包括存储器单元阵列，并且所述第二半导体晶片包括用于访问所述存储器单元阵列的电路；以及在所述接合之后，在所述第一半导体晶片上形成多个触点；所述多个触点用于所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的电连接；所述多个触点分别连接到多个参考位置；其中所述多个触点中的所述触点中的每一个从所述多个参考位置中相关联的一个位置偏移，以吸收所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的接合对准误差。

本申请的另一个实施例提供了一种形成集成结构的方法，其包括：将第一半导体晶片接合到第二半导体晶片以形成组合件；形成与所述第一半导体晶片相关联的第一电路；所述第一电路包括沿着节距P的第一组件；形成与所述第二半导体晶片相关联的第二电路，所述第二电路包括沿着所述节距P的第二组件；沿着所述第一半导体晶片形成冗余第一组件；以及将所述第二电路的所述第二组件与所述第一电路的所述第一组件电连接；所述电连接包含将所述第二组件中的一或多个耦合到所述冗余第一组件中的一或多个。

本申请的又另一个实施例提供了一种形成集成结构的方法，其包括：将第一半导体晶片接合到第二半导体晶片以形成组合件；形成与所述第一半导体晶片相关联的第一电路；所述第一电路包括存储器阵列，所述存储器阵列具有沿着y轴方向延伸并沿着第一节距P1布置的字线组件，并具有沿着x轴方向延伸并沿着第二节距P2布置的位线组件；形成与所述第二半导体晶片相关联的第二电路；所述第二电路包括沿着所述第一节距的字线耦合组件，并且包括沿着所述第二节距的位线耦合组件；沿着所述第一半导体晶片形成冗余位线组件和/或沿着所述第一半导体晶片形成冗余字线组件；将所述字线耦合组件与所述字线组件电连接，并将所述位线耦合组件与所述位线组件电连接；以及所述电连接包含将所述字线耦合组件中的一或多个与所述冗余字线组件中的一或多个耦合和/或将所述位线耦合组件中的一或多个与所述冗余位线组件中的一或多个耦合。

附图说明