[发明专利]补偿接合的半导体晶片未对准的方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

将第一半导体晶片和第二半导体晶片彼此接合，所述第一半导体晶片包括存储器单元阵列，并且所述第二半导体晶片包括用于存取所述存储器单元阵列的电路；以及

在所述接合之后，在所述第一半导体晶片上形成多个触点；所述多个触点用于所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的电连接；所述多个触点分别连接到多个参考位置；其中所述多个触点中的所述触点中的每一个从所述多个参考位置中相关联的一个位置偏移，以吸收所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的接合对准误差。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述接合之前形成所述第一半导体晶片的所述存储器单元阵列的字线和位线。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个触点中的所述触点沿着所述字线。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述多个触点中的所述触点沿着所述位线。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述参考位置为第一参考位置，所述接合对准误差为第一接合对准误差，并且所述电连接为第一电连接；其中所述多个触点是第一多个第一触点，所述第一多个第一触点从其相关联的第一参考位置偏移了所述第一接合对准误差；并且所述方法进一步包括：

在所述接合之后，在所述第一半导体晶片上形成第二多个第二触点；所述第二多个第二触点用于所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的第二电连接；所述多个第二触点分别连接到多个第二参考位置；其中所述第二多个第二触点中的所述第二触点中的每一个从其相关联的第二参考位置偏移，以吸收所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的第二接合对准误差；

其中所述第一多个第一触点中的所述第一触点沿着所述字线和所述位线中的一个；并且

其中所述第二多个第二触点中的所述第二触点沿着所述字线和所述位线中的另一个。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述接合之后形成所述第一半导体晶片的所述存储器单元阵列的字线和位线。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述多个触点中的所述触点沿着所述字线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述多个触点中的所述触点在形成所述字线之后形成。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述多个触点中的所述触点沿着所述位线。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个触点中的所述触点在形成所述位线之前形成。

11.根据权利要求6所述的方法，其中所述参考位置为第一参考位置，所述接合对准误差为第一接合对准误差，并且所述电连接为第一电连接；其中所述多个触点是第一多个第一触点，所述第一多个第一触点从其相关联的第一参考位置偏移了所述第一接合对准误差；并且所述方法进一步包括：

在所述第一半导体晶片上形成第二多个第二触点；所述第二多个第二触点用于所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的第二电连接；所述多个第二触点分别连接到多个第二参考位置；其中所述第二多个第二触点中的所述第二触点中的每一个从其相关联的第二参考位置偏移，以吸收所述第一半导体晶片与所述第二半导体晶片之间的第二接合对准误差；

其中所述第一多个第一触点中的所述第一触点沿着所述字线和所述位线中的一个；并且

其中所述第二多个第二触点中的所述第二触点沿着所述字线和所述位线中的另一个。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述接合之前形成所述第一半导体晶片的所述存储器单元阵列的字线和位线中的一个；以及

在所述接合之后形成所述第一半导体晶片的所述存储器单元阵列的字线和位线中的另一个。