[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供成品率提高的半导体装置。半导体装置具备第1基体部件，具有第1侧面；第1绝缘板，设置于第1基体部件的上方；第1金属板，设置于第1绝缘板的上方；第1半导体芯片，设置于第1金属板的上方；第1接合部件，将第1金属板与第1半导体芯片接合；第2接合部件，将第1基体部件与第1绝缘板接合；第2基体部件，具有第2侧面；第2绝缘板，设置于第2基体部件的上方；第2金属板，设置于第2绝缘板的上方；第2半导体芯片，设置于第2金属板的上方；第3接合部件，将第2金属板与第2半导体芯片接合；第4接合部件，将第2基体部件与第2绝缘板接合；以及基体接合部，设置于第1侧面与第2侧面之间，第1侧面与第2侧面接合。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－143385号(申请日：2019年8月2日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

正在进行面向发电及/或送电、泵、吹风机等回转机械、通信系统及工厂等的电源装置、基于交流电机的铁道、电动车、家庭用电器产品等的较宽领域的、MOSFET(Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect－Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)等的、设计为电力控制用的功率半导体芯片的开发。

另外，正在进行使用了该功率半导体芯片的、作为功率模块的半导体装置的开发。这样的半导体装置要求高电流密度化、低损耗化、高散热化等的技术条件。

发明内容

本发明的实施方式提供成品率提高的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：第1基体部件，具有第1侧面；第1绝缘板，设置于第1基体部件的上方；第1金属板，设置于第1绝缘板的上方；第1半导体芯片，设置于第1金属板的上方；第1接合部件，将第1金属板与第1半导体芯片接合；第2接合部件，将第1基体部件与第1绝缘板接合；第2基体部件，具有第2侧面；第2绝缘板，设置于第2基体部件的上方；第2金属板，设置于第2绝缘板的上方；第2半导体芯片，设置于第2金属板的上方；第3接合部件，将第2金属板与第2半导体芯片接合；第4接合部件，将第2基体部件与第2绝缘板接合；以及基体接合部，设置于第1侧面与第2侧面之间，第1侧面与第2侧面被接合。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图2是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。

图3是成为第1实施方式的比较方式的半导体装置的示意剖视图。

图4是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。

图5是表示第3实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。

图6是第4实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图7是表示第4实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。

图8是表示第5实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。

图9是第6实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图10是表示第6实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。

图11是第7实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图12是第8实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图13是表示第8实施方式的半导体装置的制造方法的流程图。

具体实施方式