[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1基体部件，具有第1侧面；

第1绝缘板，设置于上述第1基体部件的上方；

第1金属板，设置于上述第1绝缘板的上方；

第1半导体芯片，设置于上述第1金属板的上方；

第1接合部件，将上述第1金属板与上述第1半导体芯片接合；

第2接合部件，将上述第1基体部件与上述第1绝缘板接合；

第2基体部件，具有第2侧面；

第2绝缘板，设置于上述第2基体部件的上方；

第2金属板，设置于上述第2绝缘板的上方；

第2半导体芯片，设置于上述第2金属板的上方；

第3接合部件，将上述第2金属板与上述第2半导体芯片接合；

第4接合部件，将上述第2基体部件与上述第2绝缘板接合；以及

基体接合部，设置于上述第1侧面与上述第2侧面之间，将上述第1侧面与上述第2侧面接合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述基体接合部通过上述第1侧面与上述第2侧面之间的摩擦滑动接合而形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述基体接合部包含设置于上述第1侧面与上述第2侧面之间的树脂，

上述第1侧面与上述第2侧面通过上述树脂而接合。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第1基体部件及上述第2基体部件各自之上，未设置多个绝缘板。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第1接合部件、上述第2接合部件、上述第3接合部件及上述第4接合部件是焊料，

上述第1接合部件的第1熔点比上述第2接合部件的第2熔点高，

上述第3接合部件的第3熔点比上述第4接合部件的第4熔点高。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第1接合部件、上述第2接合部件、上述第3接合部件及上述第4接合部件是焊料，

上述第1接合部件的第1熔点与上述第2接合部件的第2熔点相等，

上述第3接合部件的第3熔点与上述第4接合部件的第4熔点相等。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第1接合部件或上述第3接合部件包含具有导电性的烧结部件。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

上述第2接合部件或上述第4接合部件包含具有导电性的烧结部件。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，还包括：

第5接合部件，设置于上述第1半导体芯片的上方，包含具有导电性的烧结部件；

第3金属板，设置于上述第5接合部件的上方，通过上述第5接合部件而与上述第1半导体芯片接合；以及

引线，设置于上述第3金属板的上方，与上述第3金属板连接，包含铜。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片包含化合物半导体。