[发明专利]用于生产薄膜晶体管装置的导体蚀刻

说明书

一种方法，包括：在限定用于薄膜晶体管装置的第一层级导体的第一导体图案上形成有机聚合物绝缘体；在有机聚合物绝缘体上形成第一导体层；在第一导体层上形成第二导体层；通过包括在选定区域中使第二导体层暴露于液体蚀刻剂的技术，对第二导体层进行图案化，以形成限定用于薄膜晶体管装置的第二层级导体的第二导体图案，其中：第一导体层至少位于选定区域中；第一导体层和有机聚合物绝缘体包括表面材料，表面材料对液体蚀刻剂表现出实质上为零的蚀刻速率；第一导体层对液体蚀刻剂的渗透性低于有机聚合物绝缘体，和/或对液体蚀刻剂的抗损性高于有机聚合物绝缘体；以及之后对第一导体层进行图案化。借此改良用于生产薄膜晶体管装置的导体蚀刻过程。

技术领域

本发明涉及用于生产薄膜晶体管装置的导体蚀刻。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)装置的生产可涉及通过暴露于液体蚀刻剂(湿蚀刻剂)来蚀刻一个或多个导体层。

本申请的发明人对于在有机聚合物层上蚀刻导体层且使将要被蚀刻的导体层与下部导体图案分开，已经进行了研究。

本申请的发明人已经确认了一个问题，在上部导体层蚀刻期间，即使对于上述有机聚合物层使用一个或多个交联聚合物层，所述交联聚合物层的特征在于不溶于任何溶剂且具有高耐化学性，所述下部导体图案也会劣化。本申请的发明人将这种劣化的原因归因于所述液体蚀刻剂以某种方式穿过所述有机聚合物层并渗透入所述下部导体图案，由于所述有机聚合物层受损和/或所述有机聚合物层对液体蚀刻剂的固有渗透性造成的结果。本申请的发明人对于他们尝试用于所述有机聚合物层的所有交联聚合物，已观察到所述下部导体图案的这种劣化。

发明内容

本发明提供一种方法，包括：在限定用于薄膜晶体管装置的第一层级导体的第一导体图案上形成有机聚合物绝缘体；在所述有机聚合物绝缘体上形成第一导体层；在所述第一导体层上形成第二导体层；通过包括在选定区域中使所述第二导体层暴露于液体蚀刻剂的技术，对所述第二导体层进行图案化，以形成限定用于所述薄膜晶体管装置的第二层级导体的第二导体图案，其中：所述第一导体层至少位于所述选定区域中，所述第一导体层和所述有机聚合物绝缘体包括表面材料，所述表面材料对所述液体蚀刻剂表现出实质上为零的蚀刻速率，且所述第一导体层对所述液体蚀刻剂的渗透性低于所述有机聚合物绝缘体，和/或对所述液体蚀刻剂的抗损性高于所述有机聚合物绝缘体；以及之后对所述第一导体层进行图案化。

本发明也提供一种方法，包括：在限定用于薄膜晶体管装置的第一层级导体的第一导体图案上形成有机聚合物绝缘体；在所述有机聚合物绝缘体上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成导体层；通过包括在选定区域中使所述导体层暴露于液体蚀刻剂的技术，对所述导体层进行图案化，以形成限定用于所述薄膜晶体管装置的第二层级导体的第二导体图案，其中：所述绝缘层至少位于所述选定区域中，所述绝缘层和所述有机聚合物绝缘体包括表面材料，所述表面材料对所述液体蚀刻剂表现出实质上为零的蚀刻速率，且所述绝缘层对所述液体蚀刻剂的渗透性低于与所述有机聚合物绝缘体，和/或对所述液体蚀刻剂的抗损性高于所述有机聚合物绝缘体。

根据一个实施例，所述第一导体层在所述第一导体图案的整个区域上连续地延伸。

根据一个实施例，所述绝缘层在所述第一导体图案的整个区域上连续地延伸。

根据一个实施例，所述连续绝缘层表现出大于约20nF/cm²的电容。

根据一个实施例，所述有机聚合物绝缘体的表面包括交联聚合物层。

根据一个实施例，所述有机聚合物绝缘体的表面材料包括交联的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯三元共聚物；以及所述液体蚀刻剂包括磷酸和硝酸。

根据一个实施例，所述第一导体图案和所述第二导体图案包括无机金属图案。

根据一个实施例，所述第一导体图案包括金属银。