[发明专利]用于生产薄膜晶体管装置的导体蚀刻

权利要求书

1.一种方法，其特征在于，包括：

在限定用于薄膜晶体管装置的第一层级导体的第一导体图案上形成有机聚合物绝缘体；

在所述有机聚合物绝缘体上形成第一导体层；

在所述第一导体层上形成第二导体层；

通过包括在选定区域中使所述第二导体层暴露于液体蚀刻剂的技术，对所述第二导体层进行图案化，以形成限定用于所述薄膜晶体管装置的第二层级导体的第二导体图案，其中：所述第一导体层至少位于所述选定区域中；所述第一导体层和所述有机聚合物绝缘体包括表面材料，所述表面材料对所述液体蚀刻剂表现出实质上为零的蚀刻速率；且所述第一导体层对所述液体蚀刻剂的渗透性低于所述有机聚合物绝缘体，和/或对所述液体蚀刻剂的抗损性高于所述有机聚合物绝缘体；以及

之后对所述第一导体层进行图案化。

2.一种方法，其特征在于，包括：

在限定用于薄膜晶体管装置的第一层级导体的第一导体图案上形成有机聚合物绝缘体；

在所述有机聚合物绝缘体上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成导体层；

通过包括在选定区域中使所述导体层暴露于液体蚀刻剂的技术，对所述导体层进行图案化，以形成限定用于所述薄膜晶体管装置的第二层级导体的第二导体图案，其中：所述绝缘层至少位于所述选定区域中；所述绝缘层和所述有机聚合物绝缘体包括表面材料，所述表面材料对所述液体蚀刻剂表现出实质上为零的蚀刻速率；且所述绝缘层对所述液体蚀刻剂的渗透性低于与所述有机聚合物绝缘体，和/或对所述液体蚀刻剂的抗损性高于所述有机聚合物绝缘体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一导体层在所述第一导体图案的整个区域上连续地延伸。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述绝缘层在所述第一导体图案的整个区域上连续地延伸。

5.根据权利要求2或4所述的方法，其特征在于：所述连续绝缘层表现出大于约20nF/cm²的电容。

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其特征在于：所述有机聚合物绝缘体的表面包括交联聚合物层。

7.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于：所述有机聚合物绝缘体的表面材料包括交联的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯三元共聚物；以及所述液体蚀刻剂包括磷酸和硝酸。

8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于：所述第一导体图案和所述第二导体图案包括无机金属图案。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述第一导体图案包括金属银。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一导体层包括无机导体材料。

11.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述绝缘层包括无机绝缘体材料。