[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供噪声被降低的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；常导通晶体管，具有经由第1布线而与第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；第1二极管，具有与第2控制电极电连接的第1阳极和与第3电极电连接的第1阴极；以及电容器，具有与第1阳极及第2控制电极连接的第1端部和第2端部。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－168196号(申请日：2019年9月17日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

作为下一代的功率半导体器件用的材料，期待III族氮化物，例如GaN(氮化镓)类半导体。GaN类半导体与Si(硅)相比具备较大的带隙。因此，GaN类半导体器件与Si(硅)半导体器件相比，能够实现小型且高耐压的功率半导体器件。另外，由此，由于能够减小寄生电容，因此能够实现高速驱动的功率半导体器件。

在GaN类的晶体管中，一般适用以二维电子气(2DEG)为载流子的HEMT(HighElectron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)构造。通常的HEMT是即使不向栅极施加电压也导通的常导通晶体管。因此，存在难以实现只要不对栅极施加电压就不导通的常关断晶体管这一问题。

在处理几百V～一千V这样的大电力的电源电路等中，要求重视安全方面而进行常关断的动作。因此，提出了通过进行将常导通的GaN类晶体管与常关断的Si晶体管连接的级联连接(cascade connection)而实现常关断动作的电路构成。

另外，在为流过漏极－源极间的主电路电流和流过栅极－源极间的驱动电流共用源极电感的电路构成的情况下，由于伴随着主电路电流的时间变化而在源极电感产生的电动势，驱动电流也被调制。伴随于此而发生的、功率半导体器件的上升速度、下降速度的降低这一延迟、漏极电流、源极电压激烈地时间变化的瞬变(ringing，日语：リンギング)会成为问题。因此，提出了主电路电流和栅极驱动电流并不共用源极电感的、使用了开尔文连接的电路构成。

发明内容

本发明的实施方式提供噪声被降低的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；常导通晶体管，具有经由第1布线而与第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；第1二极管，具有与第2控制电极电连接的第1阳极和与第3电极电连接的第1阴极；以及电容器，具有与第1阳极及第2控制电极连接的第1端部和第2端部。

附图说明

图1是第1实施方式的电力变换系统的示意图。

图2是第1实施方式的半导体装置的电路图。

图3是第1实施方式的半导体封装的示意俯视图。

图4是第1实施方式的其他的形态的半导体封装的示意俯视图。

图5的(a)～(c)是表示V_g＿on的一例的示意图。

图6是成为第1实施方式的比较方式的半导体装置的电路图。

图7是第2实施方式的半导体装置的电路图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，有时对相同或者类似的部件标注相同的附图标记。另外，有对说明过一次的部件等适当省略其说明的情况。