[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1常关断晶体管，具有第1电极、第2电极和第1控制电极；

常导通晶体管，具有经由第1布线而与上述第2电极电连接的第3电极、第4电极和第2控制电极；

第2常关断晶体管，具有第5电极、经由第2布线而与上述第3电极电连接的第6电极和第3控制电极；

第1二极管，具有与上述第2控制电极电连接的第1阳极和与上述第3电极电连接的第1阴极；以及

电容器，具有与上述第1阳极及上述第2控制电极连接的第1端部和第2端部。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

在将上述第1常关断晶体管的导通电阻设为R_on1，将上述第2常关断晶体管的导通电阻设为R_on2，将上述第1布线的电感设为L_s1，将上述第2布线的电感设为L_s2时，

(R_on2×L_s1)/(R_on1×L_s2)＞2。

3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，

R_on1＜R_on2。

4.如权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，还具备：

电阻，具有与上述第1控制电极及上述第3控制电极电连接的第3端部和与上述第2端部电连接的第4端部；以及

第2二极管，具有与上述第2端部及上述第4端部电连接的第2阳极、和与上述第1控制电极、上述第3控制电极及上述第3端部连接的第2阴极，相对于上述电阻并联地设置。

5.如权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，还具备：

第1栅极驱动电路，与上述第1控制电极、上述第3控制电极及上述第2端部电连接。

6.如权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，还具备：

第2栅极驱动电路，与上述第2端部电连接；以及

第3栅极驱动电路，与上述第1控制电极及上述第3控制电极电连接。