[发明专利]具有高隔离度和低交叉极化电平的天线、基站和终端在审
申请号: | 202010074376.2 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN113161720A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 王咏超;杨晓强;缑城;彭杰 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01Q1/24 | 分类号: | H01Q1/24;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q9/04;H01Q13/10;H01Q21/24 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 任敏 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 隔离 交叉 极化 电平 天线 基站 终端 | ||
本申请涉及一种具有高隔离度和低交叉极化电平的天线、基站和终端,包括至少一层辐射层、馈电层以及设置于所述辐射层和所述馈电层之间的孔径耦合层,所述孔径耦合层包括金属片,所述金属片开设有第一馈电缝隙、第二馈电缝隙和中间缝隙,所述中间缝隙位于所述第一馈电缝隙和所述第二馈电缝隙之间,并位于所述金属片的弱电场区域内。通过在金属片的第一馈电缝隙和第二馈电缝隙之间开设中间缝隙,这样中间缝隙的存在即可在不改变天线的辐射电场条件下,改变了天线的边界条件,一方面使得在天线上产生交叉极化方向的电流变弱,从而降低了交叉极化电平,另一方面也有效减弱了天线的能量耦合现象,从而显著提升了天线的隔离度。
技术领域
本申请涉及通信技术领域,尤其涉及一种具有高隔离度和低交叉极化电平的天线、基站和终端。
背景技术
作为通讯系统中最前端的器件,天线性能的好坏直接影响通信系统性能。近年来,双极化天线得益于其呼损和干扰小,架设安装要求不高,无需征地建塔等诸多优势而成为研究热点。然而,双极化天线在使用时会产生交叉极化现象,如此会对通信系统的发射功率和接收信躁比产生消极影响。同时,双极化天线的隔离度常会出现恶化现象,如此会降低天线的辐射能量,不利于信号的传播。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种具有高隔离度和低交叉极化电平的天线,该天线能够有效降低交叉极化电平,同时能够显著提升其隔离度。
为实现上述目的,本申请采用的技术方案是:
第一方面:提供一种具有高隔离度和低交叉极化电平的天线,包括至少一层辐射层、馈电层以及设置于辐射层和馈电层之间的孔径耦合层,孔径耦合层包括有金属片,金属片开设有第一馈电缝隙、第二馈电缝隙和中间缝隙,中间缝隙位于第一馈电缝隙和第二馈电缝隙之间,并位于金属片的弱电场区域内。
本申请实施例通过在金属片的第一馈电缝隙和第二馈电缝隙之间开设中间缝隙,这样中间缝隙的存在即可在不改变天线的辐射电场条件下,改变了天线的边界条件,一方面使得在天线上产生交叉极化方向的电流变弱,从而降低了交叉极化电平,另一方面也有效减弱了天线的能量耦合现象,从而显著提升了天线的隔离度。
可选地,金属片的形状为多边形,具有对角线,第一馈电缝隙和第二馈电缝隙分别形成于对角线的相对两侧,中间缝隙沿对角线分布。其中,第一馈电缝隙和第二馈电缝隙相对于对角线呈对称设置。
可选地,中间缝隙的数量为多个,且间隔设置,各中间缝隙均沿对角线分布,且均位于弱电场区域内。其中,各中间缝隙的长度保持一致或不一致。
可选地,弱电场区域包括电场强度相对较高的第一区域和电场强度相对较低的第二区域,第一区域和第二区域沿对角线分布,中间缝隙位于第一区域和/或第二区域内。其中,第一区域和第二区域内中间缝隙的数量可以一致或不一致。
可选地,中间缝隙的开设方向可以是沿对角线方向开设;或者,中间缝隙的开设方向沿第一区域或第二区域的长度方向开设;或者,中间缝隙的开设方向沿第一区域或第二区域的宽度方向开设;或者,中间缝隙在第一区域或第二区域内不规则开设。
可选地,中间缝隙包括第一缝隙和第二缝隙,第一缝隙和第二缝隙间隔分布于第一区域和/或第二区域内。其中,第一区域和第二区域内可均分布有第一缝隙和第二缝隙,也可以是第一区域或第二区域内单独分布有第一缝隙和第二缝隙。
可选地,中间缝隙的轮廓为矩形、圆形、椭圆形或不规则形状。其中,中间缝隙的轮廓可与第一区域和/或第二区域的轮廓相匹配。
可选地,辐射层的数量为两个,两个辐射层均包括第一介电层和辐射贴片,两第一介电层和两辐射贴片交叠设置,且下一层的第一介电层设置于金属片上。其中,第一介电层为PCB板层,对应的辐射贴片贴设于第一介电层上。
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